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記事検索結果
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各社は現在主流のシリコン(Si)製よりも省電力や高速動作の性能に優れる炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)製のパワー半導体の量産や製品開発にも力...
08年に結晶の材料として、それまでのガリウムヒ素(GaAs)系に加えて窒化ガリウム(GaN)系を採用した。
特にレーザーで使用するGaAs系と窒化ガリウム(GaN)系フォトニック結晶を効率的に生成する技術が強みで、早期の実用化を目指している。
25年には6インチラインを転用し、窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体の生産も始める。... 8インチラインが増えるのに伴って、相対的に生産効率が低下する6インチラインをGaN製造に転...
窒化ガリウム(GaN)系フォトニック結晶の形成方法を新たに開発し、高品質な共振器を形成。... GaN系を材料とするフォトニック結晶を用いた半導体レーザー(フォトニック結晶レー...
京都大学の野田進教授らは、青色の波長でワット級の出力を持ちながらビーム広がり角を0・2度以下に抑えた窒化ガリウム(GaN)系フォトニック結晶レーザーを開発した。... GaN系材料を使...
ダイヤモンドと窒化ガリウム(GaN)などを組み合わせると電源回路を大幅に小型化できる。... 炭化ケイ素(SiC)やGaNは電子が流れるn型しか作れない。
住友電気工業は18日、第5世代通信(5G)後の大容量・高速通信を可能とする高周波増幅器用の窒化ガリウム(GaN)トランジスタを開発したと発表した。... 開発...
スイスのSTマイクロエレクトロニクスは、窒化ガリウム(GaN)製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を搭載した電源機器用集積回路(IC&#...
経営資源を重点的に投入し、次世代パワー半導体向け大口径窒化ガリウム(GaN)基板事業の拡大を加速する。... 住友化学は2024年度に4インチGaN基板の本格量産を開始し、26年度にも...
今後、三菱ケミカルグループが開発中の窒化ガリウム(GaN)単結晶基板を用いた半導体をエリダンの製品に搭載して電力効率を向上するなど、技術開発で協力する。
【GaNオンSiでコスト低減】5G・6Gで採用期待 GaNオンSiは、Si基板上にGaNを結晶成長させた材料。... 【GaNオンGaNで高性能】22年度中に実証設備稼働 &...
ウエハーの大口径化と並ぶキーワードとして「新材料」を掲げ、飛躍的な性能向上が期待される炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体の可能性を語った。
データ生成のAIモデルでは敵対的生成ネットワーク(GAN)という手法で複合材のレシピから電顕画像やスペクトルを予測する。
同社では窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体製造での使用を想定。
このバーチャルな映像を現実の質感に近づけるために人工知能(AI)技術のサイクルGANを利用した。
東ソーは1―2年以内にシリコン基板へ窒化ガリウム(GaN)を成膜するスパッタリングターゲット材の市場投入を目指す。... (素材・医療・ヘルスケアに関連記事) ...
市場要求を満たしつつ必須でない機能はそぎ落とし、顧客にとって価値のある製品開発につなげたい」(おわり) 【記者の目/ソリューション重要に】 ...
