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記事検索結果
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炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワー半導体のほか、パッケージやモジュールの開発などに取り組む。
紫外線LEDのチップの窒化ガリウム(GaN)表面にこれまで加工できなかった100ナノメートルサイズの微細加工を施した。
また第1弾ではパワーデバイスに炭化ケイ素(SiC)を搭載するが、第2弾ではDC―DCコンバーターやOBCのパワーデバイスを高周波動作が得意な窒化ガリウム(GaN)に置き...
【京都】ロームは一般的なシリコン製より省電力性や高速動作性に優れる窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体の品ぞろえを拡充した。... GaN製パワー半導体は、従来のシリコン製から置き換え...
県は10年以上前から、年間11億円を投じて産学官が連携する共同研究「知の拠点あいち重点研究プロジェクト」で窒化ガリウム(GaN)を使うパワー半導体やロボットの無線充電技術の研究開発を支...
英調査会社オムディアの南川明シニアコンサルティングディレクターは、「SiCや窒化ガリウム(GaN)といった、今後に需要が増える化合物半導体の量産ではSTマイクロやインフィニオンが圧倒的...
【京都】ロームは窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の高速スイッチング性能に対応する超高速駆動制御ICを開発した。... GaN半導体向け新技術は、2023年後半に1...
CO2吸収用の新規アミン化合物や窒化ガリウム(GaN)成膜用ターゲット材などの新製品が、うまく時流に乗って伸びるかが注目される。
三菱電機はLow―Ku(13ギガヘルツ、ギガは10億)帯の周波数で動作する衛星通信地球局向け窒化ガリウム製高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT...
各社は現在主流のシリコン(Si)製よりも省電力や高速動作の性能に優れる炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)製のパワー半導体の量産や製品開発にも力...
08年に結晶の材料として、それまでのガリウムヒ素(GaAs)系に加えて窒化ガリウム(GaN)系を採用した。
特にレーザーで使用するGaAs系と窒化ガリウム(GaN)系フォトニック結晶を効率的に生成する技術が強みで、早期の実用化を目指している。
25年には6インチラインを転用し、窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体の生産も始める。... 8インチラインが増えるのに伴って、相対的に生産効率が低下する6インチラインをGaN製造に転...
窒化ガリウム(GaN)系フォトニック結晶の形成方法を新たに開発し、高品質な共振器を形成。... GaN系を材料とするフォトニック結晶を用いた半導体レーザー(フォトニック結晶レー...
京都大学の野田進教授らは、青色の波長でワット級の出力を持ちながらビーム広がり角を0・2度以下に抑えた窒化ガリウム(GaN)系フォトニック結晶レーザーを開発した。... GaN系材料を使...
ダイヤモンドと窒化ガリウム(GaN)などを組み合わせると電源回路を大幅に小型化できる。... 炭化ケイ素(SiC)やGaNは電子が流れるn型しか作れない。
住友電気工業は18日、第5世代通信(5G)後の大容量・高速通信を可能とする高周波増幅器用の窒化ガリウム(GaN)トランジスタを開発したと発表した。... 開発...
スイスのSTマイクロエレクトロニクスは、窒化ガリウム(GaN)製の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を搭載した電源機器用集積回路(IC&#...
経営資源を重点的に投入し、次世代パワー半導体向け大口径窒化ガリウム(GaN)基板事業の拡大を加速する。... 住友化学は2024年度に4インチGaN基板の本格量産を開始し、26年度にも...
