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北大、熱伝導率を電気スイッチで切り替え全固体熱トランジスタ開発（2023/2/24 科学技術・大学）

オンオフ比は4倍で熱の流れを遮るシャッターのように機能する。

「蛍光発光」光でオン・オフ熊本大が新材料、光メモリー実現に道（2022/12/29 科学技術・大学）

結晶表面のジアリールエテンが吸い取ったエネルギーをさらに溶媒に移すと、蛍光発光のオンオフ比を大きく安定させられた。

大気下で安定、電子と正孔の双方流す有機半導体東大・大阪公立大が開発（2022/12/15 科学技術・大学）

この厚み数十ナノメートル(ナノは10億分の1)の薄膜でトランジスタを作製するとキャリア移動度やオンオフ比は高い性能を示した。

NTT、世界初の窒化アルミ電界効果トランジスタ高温高耐圧パワー半導体に道（2022/4/25 科学技術・大学）

絶縁破壊電圧は1700ボルトと大きく、500度Cの電流値は100万倍のオンオフ比を実現した。... 高温でもリーク電流が小さくオンオフ比を高く保てる。

物材機構など、CNTでトランジスタ量子機能デバイスに道（2021/12/27 科学技術・大学）

オンオフ比は3700に相当する。

産総研、折り曲げ変形自在−柔らかいトランジスタ開発（2015/8/12）

トランジスタの性能を示すオンオフ比は1万と、従来のフレキシブルトランジスタと同等だった。

オンオフ比が世界最高値で、電圧のわずかな変化でも急激に電流を切り替えられるため低電圧でも動作する。 ... 一方、産総研ナノエレクトロニクス研究部門シリコンナノデバイスグループの松川...

双方のMOSFETにおけるドレイン電流のオンオフ比は3ケタ以上と高く、消費電力も低減した。

探訪・先端研究/グラフェン・ナノリボン−筒状CNT内で作り分け（2013/10/11）

10の4乗以上のオンオフ比を達成するなど、GNRトランジスタの実用化への一歩を切り開いた。

情通機構など、酸化ガリ素子を開発−損失3000分の1以下（2013/6/20）

シンプルな構造であるにもかからわず、高い電流オンオフ比などを確認し、パワートランジスタとして実用上要求される性能を既に満たしたという。

NEC、温度範囲0度―75度Cで使えるシリコン光スイッチを開発（2012/3/6）

温度に依存せずに使えるため温度調節器が不要になり、高いオン・オフ比も達成、実用水準の性能を確認した。... 光路の遮断にゲート素子を2個使い、40デシベル以上の高いスイッチング時のオンオフ比を実現。

オンオフ比は従来のニッケル薄膜より100倍高く、ナノ―ピコアンぺア程度(ナノは10億分の1、ピコは1兆分の1)の微小電流でのReRAMの動作を確認した。

NEC、全工程で印刷作製できるCNTトランジスタを開発（2009/2/18）

オンオフ比約1000の多層構造のp型トランジスタを試作した。

産総研、高純度単層CNT活用のトランジスタを開発（2008/6/11）

素子の高速化の指標となる移動度は従来と同等の性能を確保し、スイッチ特性を決めるオンオフ比は10の5乗以上と過去最高性能が得られた。