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NTT、世界初の窒化アルミ電界効果トランジスタ 高温高耐圧パワー半導体に道 （2022/4/25 科学技術・大学）
するとニッケル電極との界面のエネルギー障壁が下がり、電気特性が改善した。整流性を表すショットキー特性の理想因子は1・5と理想の1に近づいた。
