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産業技術総合研究所は、次世代の不揮発性磁気メモリーである「スピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリー(STT―MRAM)」の記憶安定性を2倍に向上した。20ナノメートル世代(...
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産業技術総合研究所は、次世代の不揮発性磁気メモリーである「スピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリー(STT―MRAM)」の記憶安定性を2倍に向上した。20ナノメートル世代(...
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2024/11/14
2024/11/06
2024/06/24
2022/09/26
2025国際宇宙産業展
グリーンインフラ産業展2025
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