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[ 科学技術・大学 ]
産総研、次世代不揮発性メモリーの記憶性能を２倍に向上
(2016/1/11 05:00)
産業技術総合研究所は、次世代の不揮発性磁気メモリーである「スピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリー（ＳＴＴ―ＭＲＡＭ）」の記憶安定性を２倍に向上した。２０...
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(2016/1/11 05:00)
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