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電力中央研究所、デンソー、昭和電工は12日、電力の損失が少ないパワー半導体に使う高品質なSiC(炭化ケイ素)単結晶膜を高速で製造する技術を確立したと発表した。... 膜厚の均一性が2&...

マザック財団、09年度の研究助成対象22件など決定（2010/6/1）

助成対象となったのはカメラによる工作機械の2次元位置決め精度の計測システム、表彰したのは鉄触媒による炭化ケイ素単結晶の表面処理など。

【先行他社と差異化】次世代の半導体ウエハー材料と目される炭化ケイ素(SiC)。... 昇華法は原料となるSiC粉末に高熱を加えて気化させ、それを種結晶に再結晶化させて単結晶の...

住友金属工業は溶液成長法による炭化ケイ素の単結晶(直径2インチ、写真)で厚さ12ミリメートル、最大成長速度で毎時1ミリメートルを達成した。... 同社は00年の開発着手以来、溶液成長法...

新日鉄、炭化ケイ素単結晶ウエハー発売（2009/3/27）

新日本製鉄は26日、次世代の半導体用ウエハーとされる「炭化ケイ素単結晶ウエハー」を4月1日から販売すると発表した。... 炭化ケイ素はシリコンに比べ、約10倍の耐電圧性能を持ち、電力損失量も約2分の1...

住金、炭化ケイ素単結晶の溶液成長法を開発（2008/10/17）

住友金属工業は16日、シリコンカーバイド(炭化ケイ素)単結晶の新成長法「溶液成長法」を開発したと発表した。製鉄技術で培った高温制御技術を用いて溶液から単結晶を成長させることで、結晶の欠...