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米大など、RRAMベースのエッジAIチップ開発省エネ・推論性能高める（2022/8/24 科学技術・大学）

他のRRAMベースの同様な取り組みに比べて省エネ性能が2倍前後高いうえ、幅広いAIタスクに対応し、推論の正確性も高いことを実証した。 ... RRAMはもともと電圧による電気抵抗の変...

産総研・シャープなど、RRAM素子を開発（2010/5/19）

低消費電力で高速動作するRRAMの早期実用化を目指す。 ... 約100個のRRAMチップを集積化している。RRAM素子に、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスと親和性の...

筑波大、次世代メモリーの動作原理を解明（2010/1/14）

メモリーを構成する薄膜の欠陥に電荷を注入してデータを書き込むMONOS型のほか、同様の原理を導入するMRAMやRRAMなど次世代メモリー開発の指針となる。

産業技術総合研究所はシャープと共同で、実用的な高速動作の不揮発性抵抗変化メモリー(RRAM)を開発したと25日発表した。... 従来の酸化物を使うRRAMは電極材料が貴金属で高コストだ...

半導体メーカー、2012年以降実用化へ次世代メモリー開発（2008/7/17）

富士通研究所と富士通マイクロエレクトロニクスが共同でMRAMのほか、電気抵抗の変化を利用した「RRAM」の研究開発も推進。... 【次世代メモリーの特徴】 MRAM 磁気抵抗メモリー&...

「磁気抵抗を用いる『MRAM』や電気抵抗の変化を利用する『RRAM』の研究開発を進めている。