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東大など、デバイスの性能劣化原因とされる高抵抗領域の形成メカニズム解明
(2013/5/31 05:00)
東京大学放射光連携研究機構の尾嶋正治特任教授、東北大学電気通信研究所、東大工学部の共同研究グループは...
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(2013/5/31 05:00)
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