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磁気トンネル接合素子のスピンの向きが高速で反転する現象を利用する。... FPGA(演算回路が自由に書き換えられる半導体)で疑似的なPビットを7085個を作り、磁気トンネル接合素子で高...

東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センターの遠藤哲郎センター長と本庄弘明教授らは、ハンダ工程で高温耐性のある磁気トンネル接合素子(MTJ)を開発した。

技術で未来拓く産総研の挑戦(229)不揮発性磁気メモリー（2022/9/22 大学・産学連携）

MRAMの記憶素子は、2層の磁石間に薄いトンネル層を挟んだ磁気トンネル接合素子である。... しかし、書き込みに際して大量の電流を素子に流すため、耐久性や動作速度の向上が課題となっている。 &...

東北大、磁気トンネル接合素子で10ナノ秒以下高速書き込み動作実証（2021/12/16 科学技術・大学）

東北大学の陣内佛霖助教と五十嵐純太学術研究員、深見俊輔教授らは、直径5ナノメートル(ナノは10億分の1)の磁気トンネル接合(MTJ)素子で10ナノ秒以下の高速...

経営ひと言/東北大学・永沼博准教授「黙々と…」（2021/6/18 科学技術・大学）

磁気トンネル接合素子で1兆回近い書き換え耐性を実現した。「素子のサイズや耐性、最新の回路設計へ対応など同時にかなえる性能がいくつもある」と説明する。

Wi―Fi電波で発電東北大など素子開発、IoT電源に活用（2021/5/19 科学技術・大学）

この発電素子を磁気抵抗メモリー(MRAM)のように並べると、Wi―Fiとして飛び交う通信用電波で発電できると期待される。コバルト鉄ボロンで絶縁体の酸化マグネシウムを...

技術で未来拓く・産総研の挑戦(21)超省電力不揮発性磁気メモリー（2018/3/15 科学技術・大学）

このジレンマは磁気メモリーだけでなく、他の不揮発性メモリーでも共通の課題となっている。 ... 【トップランナー】産総研ではこの技術の実用化に向けた橋渡し研究に着...

電圧トルクMRAM、書き込みエラー率200分の1−産総研、磁気特性を最適化（2017/7/21 科学技術・大学）

産業技術総合研究所スピントロニクス研究センター電圧スピントロニクスチームの塩田陽一研究員(現・京都大学助教)、野崎隆行研究チーム長らは、電圧書き込み方式の磁気メモリー(電圧トル...

産総研、MRAM書き込み「電圧方式」の安定動作を実証−エラー率実用水準へ（2015/12/11 科学技術・大学）

薄い金属磁石層(記録層)を持つ磁気トンネル接合素子(MTJ素子)にナノ秒程度(ナノは10億分の1)の短い時間電圧パルスをかけると、磁化反転を誘起できる。...

厚さがナノメートル寸法の2枚の磁石(鉄ボロン合金、コバルト鉄ボロン合金)と酸化マグネシウム層からなる磁気トンネル接合素子を使った。素子を円形に設計し、鉄ボロン層の上...

(編集委員・天野伸一) 東北大学の電気通信研究所の大野英男教授と、同大未来科学技術共同研究センターの小柳光正教授らのグループは半導体技術と磁気技術を融合した「スピント...

日本学術振興会、若手向け振興会賞の受賞者を決定（2010/2/6）

【理工科系】▽小沢登高東大大学院数理科学研究科准教授(離散群と作用素環の研究)▽菊地和也大阪大学大学院工学研究科教授(生体内分子を可視化する化学プローブのデザイン・合成・生物応...

富士通研、次世代磁気メモリーの寿命向上する技術開発（2009/4/28）

磁気トンネル接合素子の絶縁膜に使う酸化マグネシウム膜を、カーボンナノチューブ(CNT)を用いた原子間力顕微鏡で初めて評価した。 ... 従来の磁気トンネル接合素子全体(...

富士通研究所、次世代方式MRAM技術を開発（2008/11/12）

富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は、次世代の「スピン注入磁化反転」方式を使った不揮発性磁気メモリー(MRAM)実現に向けた新技術を開...

NEC、500メガヘルツで動作する次世代メモリー開発（2008/11/5）

NECは世界最速の500メガヘルツ(メガは100万)で動作する次世代の「不揮発性磁気メモリー(MRAM=用語参照)」を開発した。... 開発したMRAMは、セル...