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電圧トルクMRAM、書き込みエラー率200分の1−産総研、磁気特性を最適化 （2017/7/21 科学技術・大学）
産業技術総合研究所スピントロニクス研究センター電圧スピントロニクスチームの塩田陽一研究員(現・京都大学助教)、野崎隆行研究チーム長らは、電圧書き込み方式の磁気メモリー(電圧トル...
産総研、MRAM書き込み「電圧方式」の安定動作を実証−エラー率実用水準へ （2015/12/11 科学技術・大学）
産業技術総合研究所は10日、不揮発性メモリー(MRAM)の新しい書き込み手法である「電圧書き込み方式」の安定動作を実証したと発表した。... 電圧書き込み方式は電流が不要なため、消費電...
