三菱電、SiCパワー半導体開発で蘭社と連携

• 

三菱電機は１３日、オランダの半導体企業であるネクスペリアと、炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体の共同開発に向け、戦略的パートナーシップに合意したと発表した。三菱電機は同社の強みである化合物半導体技術などを適用した、ＳｉＣ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）をネクスペリアへ開発・供給。ネクスペリアは三菱電機からＳｉＣチップの供給を受け、ディスクリート（個別）半導体製品を開発する。

ＳｉＣパワー半導体は従来のシリコン（Ｓｉ）を用いた半導体より、電力損失が低く、高温や高速スイッチング動作が可能なため、脱炭素に向けて電気自動車（ＥＶ）などの分野で重要が急速に拡大している。