マウザー、TI社の高周波数アプリケーション向けLMG1210 MOSFETおよびGaN FETドライバの取り扱いを開始

最新の半導体及び電子部品の幅広い品揃えと、新製品のいち早い市場投入に注力する、ネット販売商社のマウザー・エレクトロニクス（Mouser Electronics、本社: 米国テキサス州マンスフィールド、以下: マウザー）は、テキサス・インスツルメンツ（Texas Instruments、以下: TI）社のLMG1210 200VハーフブリッジMOSFETおよびGaN FETドライバの取り扱いを開始しました。LMG1210は、TIの業界をリードするGaN（窒化ガリウム）パワー製品ポートフォリオファミリを拡充する製品で、従来のシリコンベースのデバイスに比べて、効率性・電力密度の向上、システムサイズ全体の小型化を実現し、速度が重要となる電力変換アプリケーションに最適です。

マウザーより購入可能なTI LMG1210は、最大200VのエンハンスメントモードGaN FETに向けた、50MHzハーフブリッジ・ドライバです。LMG1210は、最大限の性能と効率性を発揮するよう設計されており、10nsという超高速の伝搬遅延特性を備え、従来のシリコン・ハーフブリッジ・ドライバ製品よりも高速動作を可能にします。さらに、スイッチ・ノード容量が1pFと小さく、ユーザー調整可能なデッドタイム制御機能によって、システム内のデッドタイムを最適化させることで、効率の向上を実現します。

LMG1210は、ハイサイド/ローサイド間の遅延マッチング3.4ns、および最小パルス幅4nsを達成し、内部LDOにより供給電圧にかかわらず、ゲートドライブ電圧5Vを実現します。さらには、業界最高レベルの300V/ns以上のCMTI（同相モード過渡電圧耐性）によって、高いシステムノイズ耐性を達成できます。

TIのLMG1210ドライバは、高速DC/DCコンバータ、モータ制御、Class-Dオーディオアンプ、Class-Eワイヤレス充電、RFエンベロープ・トラッキング、その他の電力変換アプリケーションなど、幅広い用途に最適です。

詳細については、www.mouser.com/ti-lmg1210-mosfet-gan-fet-driversをご覧ください。

マウザーは、幅広い製品ラインと優れたカスタマーサービスを通して、先端技術による製品を提供し、設計技術者とバイヤーに向けてイノベーションの推進に貢献できるよう努めています。マウザーは、最新の設計プロジェクトに最適な最新の半導体および電子部品を世界でどこよりも幅広く取り揃えています。マウザーは顧客の設計リードタイムの短縮を支援します。マウザーは単に電子部品を売る会社ではなく、時間と利便性を提供する会社です。マウザーのウェブサイト Mouser.comは、絶えず更新されており、ユーザーが素早く製品を探せるよう高度な検索方法を提供しています。またMouser.comでは、データシート、サプライヤ別リファレンスデザイン、アプリケーションノート、技術設計情報、エンジニアリングツールも提供しています。

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マウザー・エレクトロニクスは、バークシャー・ハサウェイ社のグループ企業であり、数々の受賞歴を有する、半導体および電子部品の正規代理店です。提携メーカーの新製品を電子設計技術者およびバイヤーへいち早くお届けすることに注力しています。マウザーのウェブサイトMouser.com は、多言語・多通貨に対応し、750社を超えるメーカーの500万点以上の製品を揃えています。マウザーは、世界26カ所のサポート拠点からクラス最高のカスタマーサービスを提供し、テキサス州ダラス南部にある７万平方メートル（東京ドームの約1.5倍）の施設から、220カ国60万人を超えるお客様に向けて製品を提供しています。詳しくは、http://www.mouser.jp をご覧ください。

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情報提供元：PRTIMES
本リリースの掲載元：https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000132.000034430.html