記事検索結果

半導体メーカー、2012年以降実用化へ次世代メモリー開発（2008/7/17）

【次世代メモリーの特徴】 MRAM 磁気抵抗メモリー電源を切っても情報が消えない不揮発性メモリーの一種で、読み書きの高速動作が可能 PRAM 相変化メモリー&...

微細化の先に(5)NECエレクトロニクス執行役員・福間雅夫氏（2008/6/12）

高耐圧で高速動作が可能。

東芝、MEMS実装で新技術−最薄0・8mmパッケージを試作（2008/6/2）

ジャイロセンサーなど可動部に高速動作が必要な素子には実圧方式を使い、高速動作が不要な携帯電話などには低コストな真空方式と、用途に応じて使い分けられる。

ルネサス、次世代CPU搭載の32ビット・16ビットマイコン製品化（2008/5/21）

動作周波数は200メガヘルツ(メガは100万)で、プログラム読み出しとデータ書き込みを並列に実行できるハーバードアーキテクチャーを採用。これにより、1メガヘルツ当たり1・25MIPS&...

東芝、45ナノ世代LSI用SRAM回路向け消費電力半減する技術開発（2008/2/7）

駆動時間の長い携帯電話や携帯ゲーム機などの普及、高性能化が進み、搭載するLSIにはより高速な動作が求められる。低電圧によるSRAMの高速動作、低消費電力化がそのカギとなっていた。... 低電圧化すると...

東芝、1.6倍の高速動作するシステムLSI混載DRAM回路技術を開発（2008/2/7）

東芝は6日、実用水準の32メガバイト(メガは100万)容量で、833メガヘルツと従来比約1・6倍以上の高速で動作するシステムLSIに組み込むDRAM(記憶保持動作が必要な随時書...