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記事検索結果
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現在、真空環境下で利用する真空紫外光(EUV、波長13・4ナノメートル)を光源とする高額な露光装置を使えば、20ナノ―30ナノメートルの分解能で加工できるようになっている。 &...
エルピーダメモリは広島工場(広島県東広島市)に次世代の半導体製造技術のEUV(極紫外線)露光装置用の新棟の建設を検討する。... EUVの評価段階にあるが、実用化のハー...
回路形成に既存の手法と異なる極紫外線(EUV)技術を使った装置の利用が必須と見られる。複数の企業がこのEUV技術を搭載した試作機を利用しているが性能評価に苦戦。「EUVが使えなければ微...
EUVL基盤開発センターや大阪大学などと共同で、極端紫外光(EUV)リソグラフィーに必要なマスク技術や、レジスト材料の露光性能の評価技術などを開発する。
JSRは24日、次世代の極紫外光(EUV)を使った半導体露光技術に対応したエッチング用フォトレジストで良好な加工性を確認したと発表した。感度と解像度、パターンの粗さの3点のバランスにつ...
ウシオ電機は16日、自社の極端紫外線(EUV)光源が欧州の研究機関IMECに採用される見通しだと発表した。ドイツにある連結子会社エクストリームテクノロジーズがDPPと呼ばれる、放電で生...
2位の東京エレクトロンは会場近くで技術説明会を開き、次世代露光技術であるEUV(極紫外線)向けの塗布現像装置などの開発状況を明らかにした。半導体メーカーがEUV技術を本格量産に適用する...
中長期的に半導体メーカーの微細化の焦点となるのがEUV露光。... EUVは韓国サムスン電子、米インテル、東芝やエルピーダメモリのほか、台湾TSMCも導入に積極的。... ただ、半導体メーカーのEUV...
特に露光光源に極端紫外線(EUV)光源を使う最新リソグラフィー技術用素材などが注目されている。... 実際にEUVによる回路線幅19ナノメートル(ハーフピッチ)の加工例...
「半導体の次世代リソグラフィーの本命はEUV(極紫外線)。... EUV時代が到来するまでの技術の主流は、回路を数回にわけて転写し微細化するダブルパターニング(DP)に...
EUV露光装置は回路線幅16ナノメートル(ナノは10億分の1)以降の半導体製造での利用を見込む。... EUVは光の波長が13・5ナノメートルで現在主流のArFの10分の1以下。......
初号機は紫外線よりも波長の短い極端紫外線(EUV)で金星や火星などの惑星を観測する。... 高度1000キロメートル程度の低軌道に打ち上げ、金星や火星の大気流出をEUVで観測。
現状でEUV導入を表明している半導体メーカーは4社程度と言われ、レジストメーカー数より少ない。... こうした開発競争の末、EUV向けレジストを事業化できるメーカーが絞り込まれていく。 ......
しかし、その先の微細化では、EUV露光技術が本命視されている。このため、レジストメーカーは、すでにEUV対応材料の開発に着手している。 ... ただ、EUV露光装置は1台約100億円前後で、稼...
また、両社の明暗を分けそうなのが次世代の光源であるEUV(極紫外線)への対応だ。... EUVは装置構造が全く異なることや周辺材料などの製造も難航しており、「ニコンの方針は開発費や供給...
JSRは18日、米国の半導体製造技術研究組合であるSEMATECH(セマテック)が行っている極端紫外線(EUV)リソグラフィー技術の開発プログラムに参加したと発表した。...
また、競合のオランダ・ASMLが力を入れている光源に極紫外線(EUV)を使う次世代露光装置を使わなくても、露光を繰り返すことで線幅11ナノメートルまで対応できる可能性があることを示唆し...
