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記事検索結果
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EUV露光装置は現状では光源出力100ワット程度にとどまるが、光源にレーザー生成プラズマ(LPP)を採用し09年半ばに出力を200―210ワットに引き上げる。... IMECはオランダ...
次世代半導体の加工技術とされる極端紫外線(EUV)露光用のレジストの開発を進める。「2011年にも登場する回路線幅32ナノメートル世代にはEUV露光が欠かせない」とにらむ。
【神戸】兵庫県立大学高度産業科学技術研究所(兵庫県上郡町)は11月をめどに、同研究所付属の放射光施設「ニュースバル」(同)に極端紫外線(EUV)露光のレ...
この20ナノメートル世代では露光光源に極端紫外線(EUV)を用いる研究開発が進められている。 EUV露光では露光光源を従来のレーザー光から波長13・5ナノメートルのEUVに置き...
だが、20ナノメートル台は露光光源に極端紫外線(EUV)を用いる研究開発が業界では進められている。1個ならば回路線幅20ナノメートル台のトランジスタを形成できるが、量産に使えるEUV露...
一段と微細化した次世代半導体は、液浸での2回露光(ダブルパターニング)で製造するが、光源に極端紫外線(EUV)を用いたEUV露光装置も前倒しで使いたい」 ―シス...
露光光源が光から極端紫外線(EUV)に変わるため開発費や設備導入費がかさみ採算に乗らないと見ている。... さらに、事業的にはEUV露光装置の開発に巨額の開発費を投入するため、投下資本...
極端紫外線(EUV)を露光光源に用いる研究開発が進んでいるが、量産技術の確立までに時間がかかると思う。また、技術確立してもEUV露光装置の導入価格や、装置の生産性を含めて採算に合うかが...
オランダのASML、ニコン、キヤノンの露光装置メーカー3社は32ナノメートルプロセスに向けた研究開発を、露光を2回実施する「ダブルパターニング」、純水より屈折率の高い溶媒を介して解像度を高める「高屈折...
EUVは光源の出力不足に技術課題があるため、次世代半導体の露光技術開発はダブルパターニングに絞られた。 ... 露光装置3社は次世代半導体製造では高屈折率液浸露光、ダブルパターニング、EUVの...
同じく、光源波長を短くする極端紫外線(EUV)を用いる方法も、光源の安定化や出力不足など課題が多く、2010年までの実用化は難しい」 (月・水・金曜日に掲載)&...
同32ナノメートルでは、露光を2回に分ける「ダブルパターニング」が考案され、その先の同22ナノメートルでは光源波長が短い「極端紫外線(EUV)」を用いて回路を焼き付ける方法の研究開発が...
大阪大学レーザーエネルギー学研究センターは21日、次々世代半導体製造の微細露光(リソグラフィー)に必要な極端紫外(EUV)光源技術を開発したと発表した。入射した二酸化炭...
また、露光光源にEUVを採用する研究開発も進んでいる。ArFに代わり、波長が13・5ナノメートルと短いEUVを用いれば解像度の大幅向上が見込める。だが、EUVも課題が多い。
【川崎】東京応化工業は半導体先端テクノロジーズ(茨城県つくば市)と共同で、回路線幅(ハーフピッチ)が22ナノメートル(ナノは10億分の1)世代以降の次世...
光源に極紫外線(EUV)を使う次世代露光装置の搬入に使うクレーンが「特注品で190万ユーロ(約2億3000万円)もした」とか。 EUV露光装置単体の価格も一台8...
