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記事検索結果
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現行のNOR型フラッシュメモリーに比べて約8倍の処理能力、ランダムアクセスで約20倍の高速性能を持つ。
光ランダムアクセス量子メモリーに活用 横浜国立大学の関口雄平助教と小坂英男教授らは、ダイヤモンド中の量子ビットを選んで個別に操作する技術を開発した。... ダイヤモンド中の量子ビット...
中でも、ハードディスクや磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)などの磁気メモリーは、電源がなくても情報を維持できる不揮発性という特長からIoT社会を支える記憶デバイスとして期待される...
デバイス創成・高性能化 【MRAM開発】 最近、垂直磁化型磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)が念願の販売開始となった。
SCMに求められる性能は、DRAM程度の高速性を有し、ランダムアクセスが可能、NANDフラッシュメモリーよりも高速かつ低コストで、十分に大容量なものが望まれる。
人工知能(AI)のハードウエアや、電源を切っても情報が保持できる磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)などの低消費電力化につながる。
産業技術総合研究所は16日、次世代の不揮発性メモリーである「磁気ランダムアクセスメモリー」(MRAM)の3次元積層プロセス技術を初めて開発したと発表した。
産業技術総合研究所は27日、次世代の不揮発性メモリーである「磁気ランダムアクセスメモリー」(MRAM)素子を構成する固定された「参照層」に、通常使うルテニウムに代わり新たにイリジウムを...
データへ接続する際、インデックスを基に記憶装置に直接アクセスする「ランダムアクセス」の性能を従来製品比で最大7倍まで高めた。
データへ接続する際、インデックスを基に記憶装置に直接アクセスする「ランダムアクセス」の性能を従来製品比で最大7倍まで高めた。
東北大学の手束展規准教授は、次世代メモリーの磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM、用語参照)で、記録性能を高める技術を開発した。... 【用語】磁気ランダムアクセスメモリー(...
産業技術総合研究所は、次世代の不揮発性磁気メモリーである「スピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリー(STT―MRAM)」の記憶安定性を2倍に向上した。
NTTナノフォトニクスセンタが開発した光メモリーは、情報をビット単位で記憶し、各ビットをランダムに読み書きする記憶装置(ランダムアクセスメモリー、RAM)。
富士通は、ディスクストレージ(外部記憶装置)「エターナスDXシリーズ」の新モデル(写真)として、従来機比最大約5倍という世界最高水準のランダムアクセス性能などを実現した...
NTTは異なる屈折率を持つ物質を周期的に配列した人工構造体であるフォトニック結晶を使って光ランダムアクセスメモリー(光RAM)を開発し、世界で初めて動作を実証した。
東芝は次世代メモリーとしてMRAM(磁気抵抗変化型ランダムアクセスメモリー)を韓国ハイニックス半導体と共同開発。
東芝は13日、韓国・ハイニックス半導体と磁気抵抗変化型ランダムアクセスメモリー(MRAM)技術を共同開発することで合意したと発表した。
FCRAM(ファストサイクルランダムアクセスメモリー)と呼ぶ低消費電力と高性能を両立したメモリーの回路技術を応用したという。
