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産総研、イリジウムを採用−大容量ＭＲＡＭ性能達成へ
(2017/2/28 05:00)
産業技術総合研究所は２７日、次世代の不揮発性メモリーである「磁気ランダムアクセスメモリー」（ＭＲＡＭ）素子を構成する固定された「参照層」に、通常使うルテニウムに...
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(2017/2/28 05:00)
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