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記事検索結果
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SiCパワー半導体の世界市場について富士経済は、30年は19年比4.6倍の2009億円を予測した。... 前工程装置の設備投資は国内ではシリコン(Si)パワー半導体製造向け、中...
すでにワイドギャップ半導体として実用化が始まっている炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)に比べてもバンドギャップが広く、究極のワイドギャップ半導体とも呼ばれてい...
N700Sの進化を後押ししたSiC(炭化ケイ素)パワー半導体やリチウムイオン二次電池などの技術は日進月歩だ。
【京都】ロームは中国自動車部品ベンチャーのリードライブテクノロジー(上海市)と、「SiC技術共同研究所」を開設した。... SiCパワーデバイスは従来品と比べ、スイッチング損失や導通損...
【京都】ロームは、単位面積当たりのオン抵抗が業界最小のパワー半導体「1200ボルト 第4世代 SiC(炭化ケイ素)MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジ...
ロームが得意とする炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスを活用。... ヴィテスコは、2025年に同社初となるSiC搭載インバーターの生産開始を計画する。 ... SiC...
900度Cにも耐える高耐熱性や高耐久性を持つため、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワー半導体向けにも利用できる。
【名古屋】名古屋工業大学大学院工学研究科の加藤正史准教授らは、パワー半導体材料の炭化ケイ素(SiC)において、結晶表面で電子と正孔が結合してエネルギー損失となる現象(表面再結合...
【国を守る黒子】 次世代の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体搭載のインバーター装置が、19年に運行を始めた東京メトロ・丸ノ内線の新型車両に採用された。
住友電気工業は炭化ケイ素(SiC)パワーデバイス用の直径6インチ(150ミリメートル)単結晶基板「CrystEra(クリステラ)=写真」を開発し...
現在は住友電工デバイス・イノベーションの本社工場(横浜市栄区)で炭化ケイ素(SiC)基板上にGaN結晶を成長させたものを、同山梨事業所(山梨県昭和町)で...
【立川】システムイノベーションセンター(SIC、東京都新宿区)と情報・システム研究機構の傘下の統計数理研究所(統数研、同立川市)は、システム科学技術分野の先進的な共同研...
エア・ウォーターは14日、独自の炭化ケイ素(SiC)基板に窒化ガリウム(GaN)を成膜した次世代パワートランジスタ用基板を開発したと発表した。... 12年に独自の成膜...
【相模原】さがみはら産業創造センター(SIC、相模原市緑区)は中堅・中小企業の職場リーダーを育成する「第14期SIC職場リーダー養成塾」を5月30日に開講する。... 問い合わせはSI...
【高速・高温動作】 SiCパワーデバイスの特徴は、低抵抗、高速で、高温でも動作し、オン抵抗、動作損失を抑えた小型で高パワー密度のモジュールが可能となる。... 開発したパワーモジュー...
【京都】ロームの炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスが、中国車載部品大手ユナイテッド・オートモーティブ・エレクトロニック・システムズ(UAES、上海市)の電気自動車用充電...
紹介企業はタンガロイ(福島県いわき市)、プランツラボラトリー(東京都港区)、福島SiC応用技研(福島県楢葉町)、銀座農園(東京都中央区)...
【京都】ロームは炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスと駆動ICを、ウェブ上の仮想回路で一括検証できる電子回路設計者向けシミュレーションツール「ロームソリューションシミュレーター=...
