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GaNデバイス実用化に期待名大が新製造技術、高品質化（2019/5/23 科学技術・大学）

イオン注入法は一般的な半導体の製造工程で使われており、GaNデバイスの実用化進展が期待される。 ... 従来手法ではGaNにMgイオンを打ち込んだ後、保護膜をGaNにかぶせて1気圧下...

名大、窒化ガリウム研究拡充産学官連携で加速（2018/10/25 科学技術・大学）

GaNの結晶成長から評価、デバイス試作までを一気通貫で行う実験拠点「エネルギー変換エレクトロニクス実験施設(C―TEFs)」を開設したのに続き、12月には研究拠点「エネルギー変換エレク...

市場をつくる/豊田合成副社長・橋本正一氏 GaNパワー半導体（2018/9/18 モノづくり）

「既にSiCや横型のGaNデバイスが実用化されつつある中、差別化のために電気を基板に対して縦に流す『縦型GaNパワー半導体』を開発中だ。GaNの電力損失は、Siと比べて10分の1、SiCと比べても2分...

同施設では、GaNの結晶成長・評価、デバイス製作プロセス研究からデバイス試作・評価を一貫して手がける。 ... 同施設では基礎研究だけでなく、それを発展させたGaNデバイス実用化も視...

小型EVシェアリング名大、キャンパス内結ぶ（2018/7/11 科学技術・大学）

電動モビリティーの利用方法の実験と、窒化ガリウム(GaN)を活用した半導体デバイスの性能評価の実験を兼ねる。 ... GaNデバイスはモーター制御のトランジスタで性能...

【電子版】先週の注目記事は?(解説付き) （2018/5/15 特集・広告）

■アクセスランキング・ベスト10(5/7~5/13) 1位相鉄、JR直通車両発注 J―TRECに6編成 ...

三菱電、GaNデバイス本格展開「5G」攻略へ専門部隊（2018/5/10 電機・電子部品・情報・通信２）

三菱電機が第5世代通信(5G)需要の取り込みに向け、基地局向けに窒化ガリウム(GaN)を使った高周波デバイスの提案を強化する。... 20年度にはGaN高周波デバイス事...

三菱電、GaN高周波デバイス攻勢−基地局向け、高効率・高出力（2016/10/25 電機・電子部品・情報・通信２）

三菱電機は化合物半導体の窒化ガリウム(GaN)を使った高周波デバイスの本格販売に乗り出す。... こうした需要を取り込むことで、高周波・光デバイス事業における基地局向けGaNデバイスの...

ニュース拡大鏡/三菱電、設備需要に的−光・高周波デバイス深耕（2015/12/17 電機・電子部品・情報・通信１）

三菱電機はインジウムリン(InP)や窒化ガリウム(GaN)といった化合物半導体の光・高周波デバイスの各事業で、高速・大容量化が進むインターネットや携帯電話網の設備需要に...

エア・ウォーターのSiC基板は、ケイ素(Si)基板上にSiCを成膜したもので窒化ガリウム(GaN)の成長に適している。GaNデバイス素材として、高輝度発光ダイオード&#...

ルネサスエレ、年度内にケーブルTVアンプ向けGaNデバイス投入（2010/10/8）

ルネサスエレクトロニクスは7日、2010年度中に窒化ガリウム(GaN)を活用した半導体を市場投入すると発表した。シリコンなど既存の材料に比べ、高出力、高温での動作可能なGaNデバイスの...