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三菱電、ＧａＮ高周波デバイス攻勢−基地局向け、高効率・高出力
(2016/10/25 05:00)
三菱電機は化合物半導体の窒化ガリウム（ＧａＮ）を使った高周波デバイスの本格販売に乗り出す。主流のシリコン（Ｓｉ）半導体に比べて高効率・高出力といった点を訴求し、２０１７年中に携帯電話の基地局向けで採用を目指す。高速通信に伴う周波数の広帯域化により、基地局向けのニーズが拡大している...
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(2016/10/25 05:00)
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