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ＧａＮデバイス実用化に期待 名大が新製造技術、高品質化
(2019/5/23 05:00)
名古屋大学の天野浩教授らの研究グループは２２日、次世代半導体材料として期待される窒化ガリウム（ＧａＮ）にイオンを注入して高品質の「ｐ型ＧａＮ」を作製する手法を開...
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(2019/5/23 05:00)
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