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記事検索結果
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モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)で作り込んだこのダイオードリニアライザーを、窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)製の増幅器と組み合わせ、電力増幅器...
富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は23日、世界で初めて電源装置向け窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)を開発したと発表し...
出力も同社従来のガリウムヒ素を使ったHEMT増幅器に比べて約4倍、電波の届く距離も同2倍に伸びるという。... マイクロ波帯の送信機は、マイクロ波を増幅させる真空管である高出力の進行波管増幅器や、ガリ...
基本素子に化合物半導体の一つであるインジウム・リン(InP)高電子移動度トランジスタ(HEMT)を採用することで、43ギガビット動作時に消費電力1・1ワットと高速動作と...
富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、5ギガ―12ギガヘルツ(ギガは10...
富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)は窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、4ギガ―8ギガヘルツ(C帯、ギガは...
富士通と富士通研究所(川崎市中原区)は、待機時の通電を遮る回路が不要な新構造の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ(HEMT)を開発した。... 新構造の窒化ガリウムH...
このため、独自開発の高速なインジウム・リン系高電子移動度トランジスタ(HEMT)を使い、半値幅7・6ピコ秒(ピコは1兆分の1)のパルスを発するパルス発生器を開発した。&...
窒化ガリウム(GaN)半導体を使った超高速の高電子移動度トランジスタ(HEMT)を搭載したアンプと、携帯電話システムで実績のある信号のひずみ補正技術を組み合わせ、電力効...