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記事検索結果
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限界に直面する微細化の終焉(しゅうえん)は、デバイスやプロセス技術のエンジニアが決めるのか、回路設計者が決めるのか、それとも企業の経営者が決めるのか。... シリコンの電子技術と光技術...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は名古屋大学と共同で、データセンター(DC)のSSD(ソリッド・ステート・ドライブ)向け新型相変化メモリーを開発...
リードエグジビションジャパン(東京都新宿区)は2015年1月14―16日に東京・有明の東京ビッグサイトで開く「第1回ウェアラブルEXPO 装着型デバイス技術展」の出展企業を募集...
QDレーザ(川崎市川崎区、044・333・3338)の菅原充社長と武政敬三デバイス事業部長、西研一東京大学生産技術研究所特任研究員の3人が、「温度安定量子ドットレーザーの開発と商用化」...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、スピン(磁気的性質)注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)のメモリーのデータを蓄える磁気トンネル接合&#...
デバイス構造としては、半導体シリコンの上に酸化ケイ素の絶縁膜を設置。... 「半導体技術を、(実験室の)ウェットのバイオテクノロジーでの長期測定に使う展開は珍しい」(坂田准教授...
山梨県工業技術センターは24日13時15分から甲府市大津町の同センター高度技術開発棟で「第28回研究成果発表会」を開く。同センターが2013年度に取り組んだ研究内容を「環境技術・機能性材料」「電子・デ...
スマートコミュニティー事業を一層強化、柱のエネルギー、ストレージ、ヘルスケアに加え、家電や材料、デバイス技術を異分野で活用し、新たな製品・サービスを創出する。 ... 最先端の情報技...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、磁気トンネル接合(MTJ)素子を用いた高密度集積回路(LSI)配線の電流センシングの動作を実証した。... ...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、筑波大学と共同で、データセンター向け固体ストレージ(SSD)用として従来比10分の1以下の書き込み電力で1億回の書き換えが可...
【サポイン事業採択/カーボン薄膜太陽電池用プロセスの確立とそのプラズマCVD装置の作製】 神港精機は、2009年度、10年度に戦略的基盤技術高度化支援事業の採択を受けて、マ...
【立川】情報通信研究機構(NICT、東京都小金井市)は、8月から光デバイス技術の試作開発施設「フォトニックデバイスラボ」を有償で貸し出す。... NICTの技術者による研修後、最短で約...
富士フイルムとパナソニックは11日、有機薄膜を搭載した相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサー技術を開発したと発表した。... 富士フイルムが開発した有機薄膜と、パナソニック...
超低電圧デバイス技術研究組合と新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は、新しいトランジスタ構造による論理IC(集積回路)を開発し、従来比3分の1という0・37ボ...
富士通、日立製作所、東芝、三菱電機など電機メーカー10社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、消費電力が従来比10分の1以下と小さく、高速で動く固体記憶装置(S...
産業技術総合研究所は四川大学、バスク大学と共同で、超微細な試料を壊さずに観察するヘリウムイオン顕微鏡(HIM)で、見える像を予測する計算技術を開発した。... ナノデバイス(ナ...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、ロジック高密度集積回路(LSI)混載のキャッシュメモリー向けにスピン注入型高性能磁気抵抗メモリー「STT―MRAM」を開発し...
検査用デバイス技術を持つ企業などと応用研究を進め、2016年までの実用化を目指す。 ... 将来的には移植用組織の機能やウイルスによる汚染などを、一度に見られるデバイスとしての用途を...
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)と東京大学は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)の大幅な省エネルギー化を実現する低電圧トランジスタの動作に成功した。... これ...
富士通、日立製作所、東芝、三菱電機など電機メーカー10社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、次世代記憶素子であるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM&#...
