- トップ
- 検索結果
記事検索結果
186件中、9ページ目 161〜180件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.018秒)
損益がブレークイーブンに転換する時期を「(付加価値の高く)台湾勢が手がけない(高速動作の)DDR3の出荷が本格化する9、10月」に修正した。
この成果により高密度で低価格の層間メモリー、高解像度かつ高速動作の人工網膜チップ、フラットパネルディスプレーの下部にさまざまな電子回路を配置した新しい情報端末の実現が期待できる。
NECとNECエレクトロニクスは、磁性体に対して垂直な磁力を持つ垂直磁化を使う新しい書き込み方式で、システムLSIの組み込みに適した高速な不揮発性磁気メモリー(MRAM)を開発した。従...
東京工業大学大学院の松澤昭教授、岡田健一准教授らの研究チームは、0・2ボルトの低電源電圧で動作する新しい回路技術を開発した。... センサーネットワークなど、低消費電力動作が求められるLSIの無線送受...
インバータ化の急拡大などに対応し、高温で動作し低損失の高速ダイオードを開発する。... 金属と半導体の接合で生じる“ショットキー障壁”を利用したダイオードで、高温下で高速動作できるのが特徴。
モーターを上部本体内に格納しアームを軽量化しており高速動作が可能。... 動作のサイクルタイムは3キログラムを把持した場合で0・45秒と高速化。
俊敏な動作により、人手でこなしてきた作業の置き替えを進める。... アームを軽くすることで高速動作を可能にした。... 手首の回転速度は4軸機で毎秒3000度、6軸機で同1440度と高速動作する。
基本素子に化合物半導体の一つであるインジウム・リン(InP)高電子移動度トランジスタ(HEMT)を採用することで、43ギガビット動作時に消費電力1・1ワットと高速動作と...
ブレードサーバのPCIエクスプレスインターフェースに直接接続でき、SAS/SATAの通信方式を用いた既存製品よりも入出力(I/O)機能を高速化可能。同製品にインスト...
NECはこれまでLSI内の高速メモリーSRAM(記憶保持動作が不要な随時書き込み読み出しメモリー)の代替をにらみ、高速MRAMの開発を進めてきた。 一方で高速動作に対応すると、...
モーションコントロールネットワークの最新規格である「メカトロリンク―III」に対応、より高速にモーターを応答させられる。... モーションコントローラーとサーボアンプの間の伝送速度は従来の10倍に高速...
NECは世界最速の500メガヘルツ(メガは100万)で動作する次世代の「不揮発性磁気メモリー(MRAM=用語参照)」を開発した。... セル内で読み出し部と書き...
産業技術総合研究所はシャープと共同で、実用的な高速動作の不揮発性抵抗変化メモリー(RRAM)を開発したと25日発表した。... 接合部の反応をナノレベルで制御し、高速動作を実現した。....
NECエレクトロニクスとNECは先端LSI向けに独自開発した低誘電率の膜(MPS膜)を配線間の層間絶縁膜に使い、1ギガヘルツ(ギガは10億)で高速動作する回路で性能を実...
エルピーダメモリは記憶容量が1ギガビット(ギガは10億)で低消費電力、高速動作のDDR3SDRAM(シンクロナスDRAM)を製品化した。動作電流を従来品に比べて35&#...
