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TDKが素子開発、AI処理の消費電力100分の1 30年量産へ（2024/10/3 電機・電子部品・情報・通信２）

ReRAM(抵抗変化メモリー)といった、ほかのメモリスタと比べデータを安定して保持できる。

米大など、RRAMベースのエッジAIチップ開発省エネ・推論性能高める（2022/8/24 科学技術・大学）

米国のスタンフォード大学とカリフォルニア大学サンディエゴ校(UCSD)、中国・清華大学などは共同で、不揮発抵抗変化メモリー(RRAM)を使い人工知能(AI...

科学技術の潮流(33)SCM、究極のメモリー目指して（2019/11/29 科学技術・大学）

解決策の一つが、現在国内外で研究開発が活発に行われている「高性能なストレージクラスメモリー(SCM)」である。... さらに低消費電力化の実現のため、電源供給なしでデータを保持できる不...

産総研と筑波大、抵抗変化メモリーの挙動を電流ノイズから解明に成功（2017/1/16 科学技術・大学）

産業技術総合研究所は筑波大学と共同で、不揮発性メモリーの一種である抵抗変化メモリー(ReRAM)の挙動を電流ノイズから解明することに成功した。... 振動や温度差などを利用した環境発電...

神戸大学は低電圧の環境発電技術(エナジーハーベスティング)、中央大学はIoT向け抵抗変化メモリー(ReRAM)のコンバーターをそれぞれ発表する。

産業技術総合研究所は導電性を持つ酸化物の強誘電体を使った、新型の抵抗変化メモリー(ReRAM)を開発した。... ReRAMは構造が単純で素子の面積を小さくでき、電気抵抗の変化が大きい...

阪大、抵抗変化メモリーの電子の通り道解明（2011/9/8）

大阪大学の笠井秀明教授らは抵抗変化メモリー(ReRAM)の電子の通り道である伝導パスが形成される仕組みを突き止めた。... ReRAMは不揮発性メモリーの一つで、遷移金属酸化物層を金属...

産総研・シャープなど、RRAM素子を開発（2010/5/19）

産業技術総合研究所とシャープ、アルバック、金沢大学の共同チームは18日、電源を切ってもデータが消えない不揮発性の抵抗変化メモリー(RRAM)素子を開発し、8インチウエハー上に128キロ...

産業技術総合研究所はシャープと共同で、実用的な高速動作の不揮発性抵抗変化メモリー(RRAM)を開発したと25日発表した。... RRAMは酸化膜を金属電極で挟んだ構造で、酸化膜の電気抵...

半導体メーカー、2012年以降実用化へ次世代メモリー開発（2008/7/17）

NECと富士通の両グループ、東芝などは磁気抵抗を用いた「MRAM」の研究開発を進めるほか、エルピーダメモリは相変化膜を用いた「PRAM」に的を絞りつつある。... 富士通研究所と富士通マイクロエレクト...