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三菱電、インダクタンス47%減のSiCパワー半導体モジュール（2023/6/14 電機・電子部品・情報・通信１）

三菱電機は13日、パッケージ内部でのインダクタンス(磁束変化に対する抵抗)を従来比で約47%低減した「産業用フル炭化ケイ素(SiC)パワー半...

三菱電、大容量SiCパワー半導体モジュール開発スイッチング損失66%減（2023/5/9 電機・電子部品・情報・通信１）

三菱電機は8日、ショットキーバリアーダイオード(SBD)内蔵の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した耐電圧3・3キロボルトの...

三菱電機、鉄道向けSiCパワー半導体モジュール−高耐圧で実装面積半減（2018/2/1 電機・電子部品・情報・通信１）

三菱電機は31日、実装面積を従来比で、ほぼ半減にした6・5キロボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体モジュールを開発したと発表した。... 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...

三菱電機、HV用小型インバーターにSiCパワー半導体採用（2017/3/13 自動車）

熱効率に優れた炭化ケイ素(SiC)パワー半導体モジュールを採用し、体積は5リットル、体積当たりの電力量を示す電力密度は1リットル当たり86キロボルトアンぺアを実現した。... SiCパ...

阪大、SiCパワー半導体配線に銀印刷−シリコン比10分の1に小型化（2017/1/23 科学技術・大学）

大阪大学産業科学研究所の菅沼克昭教授らは、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体モジュールの配線に耐熱性の優れた銀粒子を適用する技術を開発した。250度Cの熱にも耐え、印刷技術で線の幅や厚さ...

三菱電機は29日、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体モジュールを搭載した数値制御(NC)装置用ドライブユニットを12月3日に発売すると発表した。