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阪大、ＳｉＣパワー半導体配線に銀印刷−シリコン比10分の１に小型化
(2017/1/23 05:00)
大阪大学産業科学研究所の菅沼克昭教授らは、炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体モジュールの配線に耐熱性の優れた銀粒子を適用する技術を開発した。２５０度Ｃの熱にも耐え...
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(2017/1/23 05:00)
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