- トップ
- ニュース
産総研、シリコン製トンネルＦＥＴの動作速度を１０倍超に
(2014/6/10 05:00)
産業技術総合研究所は、ＬＳＩを低消費電力化できるシリコン製のトンネル電界効果トランジスタ（トンネルＦ...
（残り：566文字／本文：616文字）
(2014/6/10 05:00)
※このニュースの記事本文は、会員登録 することでご覧いただけます。
Journagram→ Journagramとは
PR
科学技術・大学のニュース一覧
- 東北大と東京エレク、ＭＲＡＭ素子の高精度加工エッチング開発−微細・高集積化に道(14/06/10)
- 産総研、化合物半導体で３Ｄ構造のＣＭＯＳ回路を開発−電源電圧０．３７ボルト動作(14/06/10)
- 産総研、シリコン製トンネルＦＥＴの動作速度を１０倍超に(14/06/10)
- 宇宙研究活動にスペース使って！−ＰＤエアロスペースが建屋開放(14/06/10)
- 東工大など、３００ミリメートルシリコンウエハーを薄型化(14/06/10)
- 北大、安価なナノアンテナ作製−アルミで赤外光捕捉(14/06/10)
- 産総研、仏国際度量衡局と研究協定−ＮＭＲを有機化合物純度評価へ応用(14/06/10)
- 経営ひと言／京都大学・奥野恭史特定教授「基礎利用は平等に」(14/06/10)
- 【おことわり】「飛躍できるか大学発ＶＢ」は休み(14/06/10)
