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[ 科学技術・大学 ]
三菱電と東大、ＳｉＣパワー半導体素子開発 電磁ノイズ耐性向上
(2018/12/5 05:00)
三菱電機と東京大学の研究グループは４日、機器の誤動作の原因となる電磁ノイズの耐性化につながり、省エネルギー効果がある「炭化ケイ素（ＳｉＣ）パワー半導体」の素子を...
（残り：374文字／本文：454文字）
(2018/12/5 05:00)
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