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[ 科学技術・大学 ]
(2019/6/18 05:00)
中央大学理工学部の竹内健教授らは、データの精度を落としエラーを許容する計算手法で、高速で低電力な抵抗変化型メモリーストレージ(外部記憶装置)の要素技術を開発した...
(残り:403文字/本文:483文字)
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中央大学理工学部の竹内健教授らは、データの精度を落としエラーを許容する計算手法で、高速で低電力な抵抗変化型メモリーストレージ(外部記憶装置)の要素技術を開発した...
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