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ローム、４端子ＳｉＣトランジスタ スイッチング損失35％減
(2019/8/29 05:00)
【京都】ロームはスイッチング損失を同社従来品比３５％低減した、炭化ケイ素（ＳｉＣ）金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の新製品（写真）を開発した...
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(2019/8/29 05:00)
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