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三菱電・産総研、ＧａＮ―ＨＥＭＴ共同開発
(2019/9/3 05:00)
三菱電機は２日、産業技術総合研究所と共同で単結晶ダイヤモンド放熱基板を使ったマルチセル構造の窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ（ＧａＮ―ＨＥＭＴ）を世界で...
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(2019/9/3 05:00)
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