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東工大・東京応化、高分子ブロック共重合体を開発 線幅7.6ナノの半導体形成
(2024/9/3 05:00)
東京工業大学の早川晃鏡教授、畠山歓助教らは、東京応化工業と共同で、回路線幅７・６ナノメートル（ナノは...
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(2024/9/3 05:00)
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