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金属ゲート電極と高誘電率のゲート絶縁膜を採用した。

ゲート絶縁膜にハフニウム添加の材料を用いてしきい値電圧を上げ、不純物濃度の増大を抑えた。

開発したSRAMはFinFETと高誘電率のゲート絶縁膜、金属ゲート電極を使う。

スクリーン印刷し、銅箔や絶縁層と積層プレスすることで熱拡散機能を付与できる。

n型金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタの絶縁膜に、新たに希土類元素のイットリウムを導入する。... 熱処理を施すと絶縁膜中にイットリウムが拡散し、膜の性能が変わる仕組み。従来、ラン...

新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の研究プロジェクトは、LSI内のトランジスタ配線間を電気的に分離するために、多孔質シリコン酸化膜(ポーラスシリカ)を採用し...

不純物を注入するトランジスタの拡散層の構造を改良したほか、トランジスタをつなぐ銅配線間の絶縁膜を一括で作製する新手法を考案した。... さらに配線間の層間絶縁膜を、誘電率が2・5の多孔質膜を全面に使う...

富士通研究所(川崎市中原区、村野和雄社長、044・754・2613)はゲート電極や絶縁膜は従来材料のままで、32ナノメートル(ナノは10億分の1)世代以降の微細LSIに...

京三製作所の下請けで絶縁材加工のノウハウが豊富。

トランジスタ構造には、ゲートに大電流を流せる「高誘電率ゲート絶縁膜(High―k)」とリーク(漏れ)電流の抑制効果がある「メタルゲート」を採用。

東京工業大学大学院総合理工学研究科の角嶋邦之助教、フロンティア研究センターの岩井洋教授らは、高密度集積回路(LSI)微細化の障害となっていたゲート絶縁膜の薄膜化に成功した。... 今回...

特に、高耐圧が特徴の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)に強みを持つ。

コロナ放電は電子部品などの絶縁被膜の破壊要因となるため、有無を検知し、対策を講じる必要がある。

社名を東芝電力流通システムブラジル(クリチバ市)に変更し、主流の気中絶縁開閉装置(AIS)の製造、販売、エンジニアリングを行う。... 東芝はガス絶縁開閉装置(...

07年と08年に、電源基板の絶縁性低下を主因とする発火事故が起きたための措置。... スタンバイ状態で電圧をかけ続けると絶縁劣化部で放電が起こり、発煙・発火するおそれがある。

当たり前のようなことですが、ガラス管が絶縁体であることも考えるとちょっと手品のような感じもします。

旭硝子は1日、垂直方向に配線する新型半導体パッケージに対応した感光性絶縁膜を開発、09年1月に発売すると発表した。フッ素を原料に使い、絶縁膜に求められる低誘電率特性(2・6―2・7)を...

チャンバーの同時稼働で多層膜を効率的に形成でき、HDD用ヘッド基板の絶縁膜など幅広い用途への利用も見込む。

焼成タイプは感光性導電材料と感光性絶縁材料を製品化した。導電材料は20マイクロメートル以下の微細加工ができ、絶縁材料は直径20マイクロメートル以下のスルーホール形成が可能で、積層型電子部品向けに展開す...

新たな半導体材料としての活用が期待されている有機絶縁体の基礎研究として、注目できる。 モット絶縁体は、動く能力のある電子が格子状に整列していて動かないという特殊な電子状態の物質。佐々木准教授ら...

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