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装置が支える半導体・液晶(5)露光2回「凍結法」で解決（2008/6/16）

45ナノメートルプロセスで用いたフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置を用いるため、大がかりな装置開発がいらない。... 一つのチップの価格は数十円から数百円しかないため、1台40億―4...

東芝、09年度に30ナノ量産−20ナノは試験出荷（2008/6/6）

製造でポイントとなる露光工程は、同30ナノメートルプロセス品では解像度を向上するため、ArF(フッ化アルゴン)液浸露光装置を用いる。

装置が支える半導体・液晶(4)32ナノ、解像度向上が課題（2008/6/2）

露光光源の短波長化は、チップ上の回路線幅がマイクロメートルからナノメートル単位に微細化するに連れて、波長436ナノメートルのg線から同365ナノメートルのi線、同248ナノメートルのフッ化クリプトン&...

NECエレ、山形の300mmウエハーラインを増強（2008/5/28）

現在稼働しているオランダのASML製のArF液浸露光装置「1700i」1台に加えて、相模原事業場(神奈川県相模原市)からASML製の液浸露光装置1台を移設、直径300ミリメートルウエハ...

装置が支える半導体・液晶(3)先端向けArF液浸伸びる（2008/5/19）

半導体メーカーが07年に量産を始めた同45ナノメートルプロセスの先端半導体では従来のArFでは難しく、レンズとウエハー間に純水を満たして屈折率を上げる「ArF液浸」が採用されている。 ... ...

ニコン、08年3月期−デジカメ好調で経常益34%増（2008/5/13）

露光装置は半導体用132台(同164台)、うちArF液浸の出荷台数は30台(同23台)目指す。

造血幹細胞の増殖抑制、米で3遺伝子発見（2008/5/8）

今回見つかった3遺伝子は、ブレーキ役の「p16 Ink4a」と「p19 Arf」「Trp53」。

販路開拓コーディネート事業(4)ウエハー周辺露光用光源（2008/4/23）

そこで、テストマーケティングの着地点としては、最新のエキシマレーザーであるKrF、ArFに使えないことも考慮し、(1)既存または中古の半導体製造設備のリニューアル用途で、営業力を補完す...

分析・半導体市場(14)キヤノン専務・市川潤二氏（2008/3/24）

「ArF露光装置は昨年、試験機を投入した。... 回路線幅60ナノメートル世代まではArFドライ露光で40ナノメートル世代はArF液浸露光で対応。... これに対応するため現在のArF液浸露光措置を改...

投影レンズとウエハー間に純水を満たすArF液浸露光装置は(顧客が同装置を使い製品の)量産に入るため、戦略上、大切な年になる。ArF液浸はフラッシュメモリーで使われるが、DRAM、さらに...

新技術開発財団、市村賞に16件選出（2008/3/17）

【市村産業賞・功績賞】▽「SUS304代替Ni、Moフリー21%クロムステンレス鋼の開発」(JFEスチール)▽「最先端LSI製造用ArFレジスト材料の開発」(NEC&#...

光源を、同社従来機で使っていた重水素ランプから高出力ArF(アルゴンフッ素)エキシマレーザーに変更。

JSR、40億円投じ四日市工場にArF材の新製造棟（2008/2/13）

先端半導体材料であるArF(フッ化アルゴン)光源用液浸露光材料の需要が拡大しているため、設備投資が必要と判断した。... ArF材料以外に、塗布型ハードマスク材料や低誘電率の層間絶縁膜...

そこで、回路パターンを2分割して、二つのマスクで順番にArF液浸で露光するダブルパターニングが考案された。 ... 純水を用いたArF液浸露光で限界だったNA1・35を超える。... ArFに...

化学業界トップに聞く(5)JSR社長・吉田淑則氏ほか（2008/1/10）

「半導体材料は当社の得意とするArF(フッ化アルゴン)光源用の先端材料が、08年から従来のメモリーとロジック以外に、DRAMにも採用される予定だ。

東芝、来年度半導体に3500億円投資−「第5工場」四日市が有力（2008/1/1）

このため、回路をウエハーに焼き付ける露光工程に1台40億円するフッ化アルゴン(ArF)液浸露光装置を複数台導入。... 同30ナノメートル世代ではArF液浸露光を用いた2回露光(...