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三洋半導体(群馬県大泉町、田端輝夫社長、0276・61・8341)は2日、携帯電話に適した金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発し、5月からサンプル...
NECエレクトロニクスは薄型パッケージを採用した金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)4品種のサンプル出荷を始めた。
コントロールICと金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)4個を1パッケージに収めたマルチチップパッケージを採用し、自動実装を可能にした。
新電元工業はオン抵抗を同社従来品と比べ20%小さくしたパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ、写真)を開発した。... MOSFETの性能指数であるRon・Q...
【京都】ロームは液晶テレビ用バックライトインバーターなど向けに、500―600ボルトクラスの高耐圧パワーMOSFET(金属酸化膜電界効果トランジスタ)「Fシリーズ」を開発した。
シリコン酸化膜に換算した電気的に等価な膜厚である等価換算膜厚(EOT)で、世界初の0・37ナノメートル(ナノは10億分の1)のゲート絶縁膜を持つMOS型電界効果トランジ...
近くサンプル出荷する予定で、金属酸化膜電解トランジスタ(MOSFET)に駆動回路などを組み合わせ、インバーターなどを製品化する。
開発したFETは電流が流れているときの抵抗が3ミリオーム平方センチメートルで、一般的なシリコン金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の50分の1。
三洋半導体(群馬県大泉町、田端輝夫社長、0276・61・8341)は、リチウムイオン電池向け充放電保護回路のスイッチとして使うMOSFET(金属酸化膜電界効果トランジスタ...
さらに動作抵抗が0・1オームと低い金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)で低損失を実現、放熱部品を不要としたことなどで小型化した。
ルネサステクノロジは14日、二つのパワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を一つのパッケージに収めた「RJK0383DPA=写真」を製品化したと発表した。
ルネサステクノロジはハンディ無線機などの送信電力増幅用に、高周波パワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)「RQA0010」と「RQA0014」を製品化した。
産業用途で高耐圧の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を欧州で、スイッチ機能を持つ金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を東南アジアで拡販する。... ...
京都大学の木本恒暢教授、須田淳准教授、登尾正人研究員らは、炭化シリコン(SiC)横型の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を作製した。p型領域を加えた新...
回路をウエハーに焼き付ける製造前工程の投資では、甲府事業所(山梨県甲斐市)に敷設する直径200ミリメートル(8インチ)ウエハーラインを増強し、電源などのスイッチ機能を持...
松下電器産業はリチウムイオン電池の保護回路向けパワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)の新製品のサンプル出荷を始めた。
電源などのスイッチ機能を持つパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を増産する。... パワーMOSFETのシェアをパソコン・サーバ用で07年度10%から20...
同MPUは切手サイズの場所にスイッチ機能を担う金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を7億個以上も集積している。... MOSFETには、電流の入り口となる「ソース」と同...
だが、金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)など独自技術のものは、技術流出の恐れがあるため自社で生産する。
トランジスタやパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)といった半導体などグループ各社が独自に事業展開する製品も、コーデンシ主導で日本で求められる水準の品質保証体制を構...
