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記事検索結果
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また、炭化ケイ素(SiC)デバイスと走行風冷却システムを組み合わせた駆動システムを採用することにより、機器の小型化と消費電力の削減が期待できる。
SiCウエハー製造では、昇華法が主流となっている。昇華法とは、不活性ガスを充填させた炉内でSiC原料を高温で昇華させ、上部のSiC種結晶に成長させる方法である。... SiCウエハーの製造工程で、結晶...
設備投資は過去最高の1600億円を計画し、その5割強を炭化ケイ素(SiC)の増産に充てる。電動車の世界的普及で需要が急拡大しているSiCパワー半導体では、28年3月期に23年3月期の約...
三菱電機は8日、ショットキーバリアーダイオード(SBD)内蔵の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した耐電圧3・3キロボルトの...
27日、本社(東京都港区)でSiCエピウエハー事業説明会を開いた。SiC基板上にエピ層を成長させたSiCエピウエハーは、製造時に高温環境が必要なことなどが課題。... レゾナックはSi...
【アリューズ/SiC・サファイア加工容易に】 アリューズ(東京都東久留米市)は、炭化ケイ素(SiC)やサファイア加工をよ...
【デンソー】SiCパワー半導体インバーター 電費向上・航続距離を延長 デンソーは炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を搭載したインバ...
SiC材・燃料サイクル検証 核融合スタートアップの京都フュージョニアリング(KF、東京都千代田区、長尾昂最高経営責任者〈CEO〉)が核融合炉向けの部品開発を加速してい...
法政大学は多摩キャンパス(東京都町田市)に「法政大学ソーシャル・イノベーションセンター」(SIC)を開設した。... SICでは大学の教育活動との関係を強めることで、地...
学校法人関西学院と豊田通商は22日、パワー半導体材料の炭化ケイ素(SiC)ウエハーの向上を目指す技術を展開する共同出資会社を設立したと発表した。... 電気自動車&...
まずは新製品の円筒研削盤用ビトリファイド(ビト)立方晶窒化ホウ素(CBN)砥石『削楽―SAKURA』や、炭化ケイ素(SiC)などの難削材加工用のレジン砥...
ただ、次世代パワー半導体とされる炭化ケイ素(SiC)が対象だと、従来の砥石のままでは効率が悪い。そこで、SiCのラップ工程の効率化に対応するべく、3社が手を取り合った。
次世代パワー半導体とされる炭化ケイ素(SiC)のラップ工程では非効率だからだ。これを研削盤で実行すると、SiCが硬過ぎるため「砥石(といし)があっという間に摩耗する。....
「次世代パワー半導体が広まる時に炭化ケイ素(SiC)の材料が増えていくのは目に見えているが、この研削は砥石があっという間に摩耗する。
【京都】ロームは自社の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体が、米国の航空機部品大手ハイコ・コーポレーションのグループ会社が手がける産業機器向けパワーモジュール製品に採用...
次世代パワー半導体として期待される炭化シリコン(SiC)製デバイスの性能に影響する残留応力を従来比約10倍の精度で分析できる。同社はこの分析の受託サービスを開始し、SiC製デバイスの開...
同合志市のSiC6インチ対応の既存工場も増強する。SiCのウエハー枚数ベースの生産能力は26年度に22年度比約5倍に増やす。... 現在のSiC半導体の国内市場規模約500億円のうち、三菱電機のシェア...
