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半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、金属ゲートと低誘電率のゲート絶縁膜を使う次世代LSI向け高性能トランジスタを開発した。ゲ...
絶縁層に金属酸化物セラミックスを用いて薄くしたことで、既存品に比べて500倍以上の蓄電容量を実現。... AEC―1は、チタン酸バリウム系の絶縁層を電極層である銅箔とニッケル箔ではさんだもの。絶縁層の...
半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、次世代LSIに向け、薄さと性能を兼ね備える新しい絶縁膜の作製法を開発した。試作したトラン...
研究では磁石でもあり半導体でもある強磁性半導体「ヒ化ガリウムマンガン」の薄膜をガリウムヒ素基板上に作り、その上に高比誘電率を持つ絶縁膜金属膜ゲート電極を積層。
半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、2013年以降に実用化する22ナノメートル(ナノは10億分の1)世代のL...
NECエレクトロニクスとNECは先端LSI向けに独自開発した低誘電率の膜(MPS膜)を配線間の層間絶縁膜に使い、1ギガヘルツ(ギガは10億)で高速動作する回路で性能を実...
バリアー絶縁膜材料は現在、誘電率約5・5のシリコン炭窒化膜が主流。... 開発した絶縁膜材料は誘電率が3・5以下に低減できる炭化シリコン。... バリアー絶縁膜の誘電率を下げ、配線間の容量を低減してこ...
大容量化に向け多数のバッテリーセルを直列で接続し効率良く管理する必要があるため、隣接するセル基板だけと通信する構成と列ごとに管理するコントローラを導入して絶縁電圧を減らし、同社従来のシステムと比べ2倍...
(9面に関連記事) 試作段階だが、一般的なインバーターに使うSiの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)に比べ電力損失を約50%低減したデバイスを...
【名古屋】アイシン精機は、変圧器の絶縁油に含まれるポリ塩化ビフェニール(PCB)を短期間で簡易的に測定できるシステム「イムノメジャーPCB測定システム」を開発した。... PCBは変圧...
