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記事検索結果
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東京大学の小林正治准教授らは、神戸製鋼所とコベルコ科研(神戸市中央区)と共同で酸化物半導体「IGZO」トランジスタの移動度を2倍に高めることに成功した。... トランジスタはIGZOに...
【川崎】富士通ゼネラルは15日、窒化ガリウム(GaN)を材料に使った電界効果トランジスタ(FET)の高耐圧チップをドライブ回路とともに内蔵した小型パワーモジュールを、世...
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターの岡本光央主任研究員と原田信介研究チーム長らの研究グループは、炭化ケイ素(SiC)のパワー半導体の縦型金属酸化膜半導体電界効果ト...
【性能の限界突破】 シリコンに代表される半導体材料は、トランジスタやメモリー、センサーなどの素子に加工され、パソコンやスマートフォンなどのデバイスに欠かせない材料だ。
その結果、必要な電力をトランジスタ1個当たり30マイクロワット(マイクロは100万分の1)まで抑えられた。
メモリーに使われる強誘電体ゲート電界効果トランジスタ(FeFET)を深層学習の積和計算に用いるのが特徴。
「従来技術では一つのシナプスの機能を実現するために10個程度のトランジスタが必要になる」(寺部主任研究者)。
IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)デバイスに最適な専用の駆動回路を搭載し、自己保護機能などを1パッケージ化した。
【京都】ロームは150ボルト耐圧の窒化ガリウム(GaN)製高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、ゲート端子とソース端子間の定格電圧を業界最高レベルの8ボルトに高める技...
有機電界効果トランジスタ(OFET)メモリーという素子構造を採用したもので、現在広く普及しているフラッシュメモリーを有機材料に置き換えたようなものである。 OFETメ...
華域三電は昨秋、ロームの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)パワーデバイスなどを採用した電動コンプレッサーの量産を始めている。
ジャパンパワーデバイス(JPD、大阪市中央区、須山透社長、06・7777・4251)は、電磁誘導加熱(IH)製品など民生品向けに価格を抑えたIGBT(絶縁ゲート...
金沢大学ナノマテリアル研究所の徳田規夫教授、松本翼准教授、張旭芳特任助教らの研究グループは、単結晶シリコン上にダイヤモンド製トランジスタを作製し、動作を実証した。... 徳田教授らはこれまでに、単結晶...
【京都】ロームはP型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、オン抵抗を同社従来品比50%以上低減し、産業機器の省エネに貢献する新シリーズの生産を始めた。
産業技術総合研究所や東北大学、台湾国家実験研究院などの日台の共同研究グループは、シリコン(Si)とゲルマニウム(Ge)を利用し、新しいトランジスタ技術として注目されてい...
