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日本は昔、DRAMなど半導体の大規模な研究を進めたものの、最終的にDRAMビジネスからは撤退した。

まずはフラッシュメモリー製造への展開を計画するが、将来的には記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリーのDRAMや、ロジック系半導体生産への適用も目指す。

製品別では、スマートフォンやデータセンター向けの需要が強いDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)など記憶用半導体が18・2%増と好調だった。

製品別ではDRAM市場が13年に引き続いて活況を呈した。供給不足に伴い価格が高止まりし、DRAMの売上高は13年から31.7%増の成長となった。

■高機能品を強化 プロセッサーやDRAMといった分野では、米国や韓国、台湾メーカーに対して敗北した日本の半導体メーカーだが、パワー半導体分野では依然として存在感を示している。

東芝、韓国SKと和解 (2014/12/22)

DRAMの供給契約や特許クロスライセンスの契約期間延長のほか、次世代露光装置の技術を共同開発する。

ハイニックスが韓国内に建設するDRAM工場に、栗田が約数十億円を投じて超純水製造装置を設置する。

中央演算処理装置(CPU)やDRAM、NANDといった半導体全般の生産工場向けに提案する。

「スマートフォンなどモバイル機器の需要増を背景に、DRAMやNAND型フラッシュメモリー向けの半導体装置販売が堅調」(原田芳輝取締役執行役員)という。

スマートフォン向けのNAND型フラッシュメモリーやDRAMの伸びがけん引している。

【サポイン事業採択/エネルギー社会に対応した高機能パワーデバイスの高信頼性を確保する超小型電流センサ及び製造ライン向け検査装置の開発】 わが国唯一のDRAMメーカーだった旧...

【パワーデバイス用電流センサーと検査装置】 わが国唯一のDRAMメーカーだった旧エルピーダメモリ(現マイクロンメモリジャパン)が米国資本の傘下に入るなど、半導体産業に...

しかし、今や韓国や台湾勢の後塵(こうじん)を拝し、DRAMメーカーは1社もなくなり、日本の電子産業は貿易赤字に転落した。

ハードディスク駆動装置(HDD)などの外部記憶装置だけでなく、メーンメモリーとしてDRAMなどの置き換えも可能だという。

2ギガビット(ギガは10億)容量の半導体メモリー(DRAM)が搭載された厚さ775マイクロメートルのウエハーの厚さを、200分の1となる4マイクロメートルまで薄くするこ...

MRAMはDRAMの約5倍の高速動作が可能で、消費電力はフラッシュメモリーの約10分の1。

日本の半導体産業は1980年代後半、DRAM中心に世界市場で過半のシェアをもっていた。

一方で現在、協力関係にあるDRAMの調達や次世代メモリー開発など提携関係は維持していく。... モバイル機器向けでは同メモリーとDRAMを組み合わせて供給するニーズが高まっており、2年前のエルピーダメ...

日本電子材料は2014年、微小電気機械システム(MEMS)技術を用いた半導体試験装置のプローブカードでDRAM市場に参入する。DRAMは狭ピッチ、多ピン化を背景に、MEMSプローブカー...

ただDRAMの平均価格の上昇もあり金額ベースでは半導体市場は伸びており、14年は数量ベースも伸びると期待したい。

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