- トップ
- 検索結果
記事検索結果
315件中、12ページ目 221〜240件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.003秒)
JSRは次世代の半導体製造用化学品、極紫外線(EUV)リソグラフィ用フォトレジストの商業生産を2017年に始める。... 現行より2世代先の7ナノメートル世代向けに酸発生剤を使う従来機...
JSRは次世代の半導体製造用化学品、極紫外線(EUV)リソグラフィ用フォトレジストの商業生産を2017年に始める。... 現行より2世代先の7ナノメートル世代向けに酸発生剤を使う従来機...
JSRとベルギーの研究機関IMECは12日、半導体産業向けに極紫外線(EUV)露光材料の製造・品質管理を担う合弁会社を設立すると発表した。... 最先端の半導体デバイスにはさらなる微細...
【神戸】兵庫県立大学の原田哲男助教らの研究グループは、次世代半導体での量産適用が有望視される極端紫外線(EUV)リソグラフィー(露光)のフォトマスク評価に使う顕微鏡を開...
半導体露光用エキシマレーザー大手のギガフォトン(栃木県小山市、都丸仁社長、0285・28・8410)は、開発中の極端紫外(EUV)スキャナー用レーザー生成プラズマ...
当社はバッテリー単品を販売するだけでなく、エネルギーの最適管理システムを同時に提供して差別化する」 【JSR社長・小柴満信氏/EUVレジストで貢献】&#...
EUVは13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)と従来の10分の1以下の波長であり、EUVによるリソグラフィ技術が確立すれば、より微細な回路パターンの投影が可能になる。 &#...
極端紫外線(EUV)で半導体回路パターンをシリコンウエハー上に焼き付けるEUV転写技術(リソグラフィー)の実用化促進に役立つ。 ... 容器内に集光ミ...
足元ではEUV(極紫外線)を光源に採用した次世代露光装置の研究開発を進めている。EUV露光装置を巡っては実現可能性が低いと判断し、ニコン、キヤノンともに撤退している。ASMLがEUV露...
ただ既存技術を使った微細化は限界に近く、早晩、3Dのほか、EUV(極紫外線)露光やArF液浸の多重露光といった新技術が必要になる。
「重要特許の多くをMIIが抑えているので心配していない」 ―EUV(極紫外線)露光装置の可能性についてはどう見ていますか。 ... 一方、EUV、A...
―EUV(極紫外線)露光装置の量産技術の実現性をどう見ていますか。 ... 当社もEUV露光装置の基本設計は行っているが、課題が多く量産装置の開発にゴーサインを出せる...
◆ ―EUV(極紫外線)露光装置の開発状況は。 ... 道筋は見えてきており、オランダの本社工場はEUV装置の需要増に備え拡張工事を行っている」&#...
長く次世代技術の本命とされてきたEUV(極紫外線)露光。... EUV露光装置を量産工場で使うには250ワット出力の光源を安定的に稼働させることが必要とされる。... 日本勢にとってE...
AfFに次ぐ光源として、波長がAfFより10分の1の13・5ナノメートルと短いEUV(極紫外線)が期待されてきた。しかしEUVは真空環境が必要、従来のレンズ技術が生かせないといった課題...
EUVの波長は13・5ナノメートルと現在主流のArF(フッ化アルゴン)光源と比べ約10分の1と短い。... EUVの実用化に向けた研究も継続する。 ... 一方、EU...
次世代技術の極端紫外線(EUV)リソグラフィーの普及が遠のく中、既存のフッ化アルゴン(ARF)液浸リソグラフィー工程を2回以上繰り返すマルチパターニングを使い、20ナノ...
酸化亜鉛に不純物としてインジウムを混ぜており、波長13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)に達する極端紫外線(EUV)を可視光に変換する時間がピコ秒(ピコは1...
次世代の極端紫外線(EUV)リソグラフィー露光装置の実用化が近づく。... 従来のEUV露光プロセスは1回のEUV露光でレジスト中に酸が発生し、反応が進む。... 2回目の光全面露光で...
