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07年度はこのうち半導体検査用ソケット、光学薄膜フィルター・半導体レーザー光源などの光関連製品、EMSを除く事業は営業赤字だった。

国内首位のシャープはシリコン使用量が少ない薄膜型で攻勢をかけようとしている。しかし薄膜型などの次世代技術は製造装置への依存度が高い。

フッ素系高分子材料を真空中で基材に蒸着させて薄膜を形成する同技術は、「NANOS(ナノス)」シリーズとして03年に開発、これまで金型などの金属製品やガラス製品への薄膜処理を手掛けてきた...

青山学院大学理工学部化学・生命科学科の長谷川美貴准教授は、希土類金属と有機物の化合物「金属錯体」を用いて液晶などに代わる表示パネル用薄膜の開発に取り組んでいる。... 薄膜の生成過程は至ってシンプル。...

09年3月までに薄膜シリコン向け同装置を商品化する。価格は結晶シリコン向けが5000万円、薄膜シリコン向けが7500万円を予定。... 同薄膜シリコン向けは8本の分岐レーザービームを用いて、一度に溝を...

シリコン基板に触媒となる鉄薄膜を蒸着し、原料ガスとしてメチルビニルジクロロシランを用い、特殊な操作はしない。

東北大電気通信研究所の末光眞希教授らは24日、シリコン基板表面に80ナノメートルという極薄の炭化ケイ素を形成し、熱処理することで、同基板上にグラフェン(黒鉛結晶の単層分)薄膜を作製する...

新機能化合物半導体懇談会(細谷一彦会長=日鉱金属電材加工事業本部薄膜材料事業部化合物半導体ユニット長)は、07年度の化合物半導体材料の出荷統計をまとめた。

金属薄膜の赤外線遮へいガラスは2―3度Cの抑制効果だった。

このうち、シャープの自家用発電施設には同社の薄膜シリコン太陽電池モジュールを採用。

独自開発の高分子薄膜センサー「ドライキャップセンサ」を搭載し、従来の酸化アルミセンサーを用いた変換器で半日程度かかっていた測定時間を30分以内に短縮した。

【名古屋】東朋テクノロジー(名古屋市中区、富田英之社長、052・251・7211)は、シリコンウエハーの薄膜応力(ストレス)測定装置「FLXシリーズ」に新機種を追加し、...

CIGS太陽電池は光電変換層(光を吸収して電気に変換する層)が数マイクロメートルと薄く、従来の単結晶シリコンよりも発電効率がよいが、薄膜製造に蒸着法を用いるため、基板の大型化や量産時の...

(独立路線は貫くが)飛躍的にEV市場を拡大していこうと思えばもっと蓄電の技術を進歩しなければならず、自動車メーカーなどと共同でやっていく分野もある」 ―薄膜太陽電池の開発状況は...

開発した基板は、結晶面が(100)のシリコン層を45度回転した膜と、従来より薄膜化した(110)面のシリコン層を接合して形成する。

特殊加工のダイヤモンド・ライク・カーボン(DLC)薄膜がホイールの摩耗を抑え、ハブの劣化を防ぐ。... 厚さ0・5ミリメートルのステンレス板上に加工した30マイクロメートル(マ...

国内の太陽電池最大手、シャープは2010年をめどに堺市で薄膜型太陽電池の最新鋭工場を稼働する。

募集する技術は、高分子材料などの「素材」や、多層配線基板などの「部品」、微細加工や薄膜形成技術などの「製造」を含む5分野。

透明フィルムは、薄膜形成技術「新対向ターゲット式スパッタ(NFTS)法」を用いて製造する。表面処理をしたポリエステルフィルムに3層の透明酸化膜と2層の銀化合物薄膜を交互に形成した5層構...

実験では鉄触媒になる鉄薄膜を蒸着した基板を600度Cに加熱し、CNTの原料となるアセチレン(C2H2)と、鉄の還元用の水素を用いた。

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