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記事検索結果
321件中、13ページ目 241〜260件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.015秒)
シリコン基板上にインジウム・ガリウム・ヒ素(III―V族化合物半導体)を集積する新技術を開発、酸化アルミニウムの絶縁膜上に形成したIII―V族化合物半導体(III―V―OI&#...
日本は火山国であり、自然の岩石や地盤にヒ素、鉛、フッ素、ホウ素などが含まれることが多く、これらが堆積(たいせき)した場合に土壌汚染対策法の指定基準を超過することがある。
このLEDの本体には一般的な半導体材料のガリウム・ヒ素を使用。p型(電荷を運ぶキャリアが正孔)、i型(不純物を含まない真性半導体)、n型(キャリアが自由電子&#...
スイッチング効率が高いインジウム・ガリウム・ヒ素・リンを採用し、フォトニック結晶のナノ共振器を使って光スイッチを作製した。
米イリノイ大学のジョン・ロジャース教授らはガリウム・ヒ素(GaAs)を、太陽電池やエレクトロニクス機器に低コストで実装できる技術を開発した。... そこで研究チームでは一度にGaAs膜...
荒川教授らは、基板の材料を主流のガリウム・ヒ素からシリコンに変えた、通信に適するハイブリッド型の量子ドットレーザーを作製した。... まずガリウム・ヒ素の基板上に、汎用的な有機金属気相成長法(...
1チップに集積化した試作の増幅器は出力が12・9ワットで、従来のトップデータであるガリウム・ヒ素HEMTを使った増幅器の5・2ワットを更新した。
同技術を使い、ガリウム・ヒ素の基板上にインジウム・ヒ素の量子ドットを従来比2倍の1平方センチメートルあたり600億個配列した。
インジウムガリウムヒ素製と、ガリウムヒ素製の二つの量子ドットをサンドイッチ構造に作り込み、わずか電子1個を閉じ込められるだけの極小デバイスを作製した。
研究チームは化合物半導体であるインジウム・ヒ素の基板上に吸着したインジウム原子を、1個ずつ、つまみ上げて精密な構造を組み立てた。
V字型の微小な溝を作ったガリウムヒ素基板上に、平たんな面と傾斜のある面で構成したリッジ構造を形成した。... 発光特性を調べたところ、リッジの下に形成したガリウムヒ素の発光層の強度が、酸化シリコン膜の...
開発したDFBレーザーは毎秒25ギガビット動作で、レーザー光を作る活性層にアルミニウム・ガリウム・インジウム・ヒ素の埋め込み層を導入した。
ガリウムヒ素と違い、Geはそのままではレーザー光を発しないが、シリコン層の上に載せたゲルマニウム層に不純物としてリンをドーピングすることで余分な外殻電子が励起され、発光状態になるようにした。材料が高価...
具体的に、作製した試料は厚さ160ナノメートル(ナノは10億分の1)のガリウムヒ素の薄い板に、半導体加工技術で半径約64ナノメートルの円孔を空けたフォトニック結晶構造を持つ。板の中央に...
独自の特許技術を使った可搬型の排水処理設備(写真)により従来では処理が難しかったセレン、ヒ素、六価クロムなどの重金属を高効率、低コストで環境基準以下に浄化できる。
同技術は、入射光を光電変換するInGaAs(インジウム・ガリウム・ヒ素)フォトダイオードと、信号処理回路のシリコン相補型金属酸化膜半導体(CMOS)をインジウムを使った...
