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記事検索結果
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【横浜】神奈川大学の西久保忠臣教授はEUV(極端紫外線)露光装置向けの低分子フォトレジストを完成、22ナノメートル(ナノは10億分の1)の回路パターンを作成することに成...
東芝は次世代EUV(極端紫外線)露光装置向けの低分子フォトレジストを開発した。... 従来開発済みだったポジ型に加えて、より高解像度に向いたEUV世代対応のネガ型レジストを開発した。&...
緑地で囲まれた巨大なASMLの工場ではEUV装置の組み立てが最終段階にある。... EUV装置はArF液浸露光装置とはまったく異なる機構。... EUV装置のベータ機開発を見送り、量産機出荷も2年程度...
同社のロン・クールEUV担当副社長は、日刊工業新聞のインタビューに応じ、EUV露光装置を着実に市場投入するため、周辺装置メーカーと技術面で協力していく方針を明らかにした。... EUVをArF液浸装置...
ニコンは次世代半導体製造に利用する極端紫外線(EUV)光源の露光装置の開発を見直す。... 線幅22ナノメートル以降でEUV露光装置を見据えている。 ... EUV露光装置は真...
半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、極端紫外線(EUV)露光技術で、2013年以降の回路線幅22ナノメートル...
しかし、22ナノメートル世代以降は波長が13・5ナノメートルの極紫外線(EUV)を使う回路形成技術が有望とされ、EUVと競うにはArFにも技術革新が必要だ。
新たに露光光源に極端紫外線(EUV)を用いるEUV露光の利用が提案されている。 EUV露光では投影レンズを用いた従来方式から反射鏡を用いた新方式に変わるため、装置構造を抜本的に...
新製品「MGR108」は低分子の「芳香族アルデヒド」が主原料で、極端紫外線(EUV)という技術でつくる先端半導体プロセスに対応している。
半導体製造装置に用い、ハーフピッチ22ナノメートルを可能とする極端紫外線(EUV)露光装置用マスクブランクスの商業化を加速化させ、2013年ころの実用化を目指す。両社で欠陥のないEUV...
低コストで、かつ短期間に衛星をシリーズ化するため、電源や通信・制御系を収納した標準バスを開発、紫外線よりも波長の短い極端紫外線(EUV)で金星や火星などの惑星の大気を観測、そのメカニズ...
だが、このEUV露光は克服すべき技術課題が多い。... 【出力向上にめど】 ただ、この点でも研究開発が進められ、EUVの出力向上のめどは付いた。... ArF液浸露光からEUV露光に切り替わる...
ダブルパターニングを1世代先まで利用する技術を確立し、EUV露光装置の開発計画を補完する。 ... 露光装置業界のロードマップでは同22ナノメートル半導体の製造プロセスにおける露光工程にはEU...
半導体露光装置メーカーが2010年をめどに、光源に極端紫外線(EUV)を採用したEUV露光装置を相次いで市場投入する。... EUV露光は、回路線幅20ナノメートル(ナノは10...
EUV露光装置はニコンとキヤノンも開発を進めているが、ASMLが先行することになりそうだ。 ASMLはEUV光源に米サイマー製のレーザー生成プラズマ(LPP)を採用する。......
EUV露光装置は現状では光源出力100ワット程度にとどまるが、光源にレーザー生成プラズマ(LPP)を採用し09年半ばに出力を200―210ワットに引き上げる。... IMECはオランダ...
次世代半導体の加工技術とされる極端紫外線(EUV)露光用のレジストの開発を進める。「2011年にも登場する回路線幅32ナノメートル世代にはEUV露光が欠かせない」とにらむ。
【神戸】兵庫県立大学高度産業科学技術研究所(兵庫県上郡町)は11月をめどに、同研究所付属の放射光施設「ニュースバル」(同)に極端紫外線(EUV)露光のレ...
