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酸化物半導体は、すでにシャープがインジウム、ガリウム、亜鉛による「IGZO(イグゾー)」のTFTを量産している。

DOWAエレクトロニクスは1日、インジウム4N(ITOグレード)の12月の建値を発表した。

亜鉛に加え、インジウムも高値水準を維持。

導電性の高い酸化インジウムスズ(ITO)などが電極形成時に必要とする蒸着やスパッタリングの装置を使わずに、スクリーン印刷で基材に塗布できる。

DOWAエレクトロニクスは4日、インジウム4N(ITOグレード)の11月の建値を発表した。

独自のCIS(銅・インジウム・セレン)太陽電池を一気に伸ばしてきたソーラーフロンティア(東京都港区)もその一つ。

中村教授はさらに、窒化ガリウムに若干のインジウムを加え、輝度を大幅に向上した。

翌93年に窒化インジウムガリウム系の高品質な単結晶の成長に成功し、同材料を使って青色LEDを製品化した。

製品化に関しては、酸化インジウムスズ(ITO)などの透明な配線フィルムで進める。

DOWAエレクトロニクスは1日、インジウム4N(ITOグレード)の10月の建値を発表した。

対象はほかに銅・インジウム・セレンの化合物(CIS)を使う化合物半導体系太陽電池に光の吸収効率を高める構造を採用した新しいCIS系太陽電池、さらに極微細な半導体粒子「量子ドット」などを...

同社は工場の全容を明らかにしていないが、同社独自のCIS(銅・インジウム・セレン)太陽電池の生産効率を飛躍的に高める計画で、近い将来に海外進出する際のモデル工場にもなる。

寒川教授はこれまで、シリコンやゲルマニウムを使った3次元トランジスタやシリコンの量子ドット太陽電池、インジウムガリウムヒ素の量子ドット発光ダイオード(LED)、グラフェントランジスタな...

これまでの技術では、フォトダイオードアレイと読み出し集積回路はインジウムバンプ(突起電極)で接合してきたが、バンプの形状制御が難しく、またシリコン基板と化合物半導体との熱膨張係数の差か...

DOWAエレクトロニクスは1日、インジウム4N(ITOグレード)の9月の建値を発表した。

年内には酸化インジウムスズ(ITO)に変わる線幅5マイクロメートルのメタルメッシュ印刷を確立。

同センサーの電極材ではインジウムスズ酸化物(ITO)が主流。

主に酸化インジウムスズ(ITO)・透明導電膜ベースフィルムなどといった用途での使用を想定し、すでに提案を始めた。

石油タンク建設用地だった2万4700平方メートルの敷地に、子会社であるソーラーフロンティア(東京都港区)製のCIS(銅・インジウム・セレン)太陽電池モジュールを約1万4...

ポリイミド基板やエポキシ樹脂基板、酸化インジウムスズ(ITO)基板などを対象に、PET基板との接着力を従来比6割増から3倍に高めた低温硬化接着剤を開発した。

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