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記事検索結果
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サムコはこれまで、GaN向けではプラズマ化学気相成長(CVD)装置やエッチング装置、洗浄装置などをラインアップ。サファイア基板上にGaN結晶を成長させるMOCVD装置はなかった。......
東京大学の荒川泰彦教授とマーク・ホームズ特任研究員らは、一般的な半導体材料である窒化ガリウム(GaN)で作製した量子ドットを使い、量子情報処理に必要な1個のみの光子を27度Cという室温...
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの材料開発における静電容量の測定で新手法を採用し、低周波領域で正確に解析できる。
パナソニックは光触媒に窒化ガリウム(GaN)を採用した。GaNは発光ダイオード(LED)照明に使われる半導体材料。... 電機メーカーにとって身近にある材料と技術を生か...
シリコン基板上にガリウムナイトライド(GaN)結晶を成長させる「GaN On Si(ガン・オン・シリコン)」に対応し、既存の直径200ミリメートル製造ラ...
高耐圧や低オン抵抗、高速スイッチングなどが特徴の炭化ケイ素(SiC)や、窒化ガリウム(GaN)を使った次世代パワーデバイス応用機器などにも幅広く提案する。 ...
材料に炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)を用いた次世代パワー半導体の市場も拡大し、20年には全体の7%(現状では1%以下)を占...
具体的な開発分野としてはLEDの発光効率を高める窒化ガリウム(GaN)ウエハーや固体酸化物形燃料電池(SOFC)、リチウムイオン電池用材料などを挙げる。
従来はGaN―HEMTでも出力50ワットの素子が最高品だった。... また、GaN素子は供給された電力を高周波電力に変換する効率が高いため、消費電力の抑制にも効果が大きい。GaN素子の設計・製造技術を...
パウデック(栃木県小山市、河合弘治社長、0285・22・9986)は、低損失・高耐圧を実現する構造を採用した窒化ガリウム(GaN)パワートランジスタの実用化にめどをつけ...
江川教授はサファイアの代わりに、シリコン基板上に窒化ガリウム(GaN)結晶を成長させる方法により、高品質なGaN半導体を低コストで製造する技術を確立した。 ... 同...
経産省は14年度からSiCに加えて、シリコンと窒化ガリウム(GaN)製のパワー半導体開発プロジェクトを立ち上げる。... SiC製のパワー半導体が実用化されたばかりでGaN製はこれから...
省エネルギー化で期待されているGaN―HEMTの性能や特性を評価できる。... GaN製半導体はシリコン製やSiC(炭化ケイ素)製に比べて高速でスイッチングできる。... シリコン基板...
SiCは通信関連の高周波デバイス用などに見込まれる窒化ガリウム(GaN)の製膜に適し、同社のSiC基板であれば良質なGaN基板も容易に製造できるとしている。併せて、SiC基板上にGaN...
日立電線はサファイア基板上に高品質な窒化ガリウム(GaN)単結晶薄膜を成長させたGaNテンプレート(写真)の新たな量産技術を開発した。... 提供するGaNテンプレート...