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変換効率は12%と、インジウムを添加しないCIS型としては世界最高になる。インジウムは希少金属のため、ありふれたアルミで代替できると競争力になりえる。 ... CIS型はイン...

ウシオ電機、LEDパッケージを100分の1に小型化 (2024/11/5 電機・電子部品・情報・通信)

リン化インジウム(InP)系材料で初めて、バンプと呼ばれる突起状の端子で接続する「フリップチップ」を採用した。

マグネシウムとアンチモンの合金にインジウムを添加する。... マグネシウム・アンチモン合金にインジウムを加え焼結時にマグネシウムが蒸発することを防いだ。

東レ、光半導体の高速実装を実現 転写・接合材料を開発 (2024/10/24 素材・建設・環境・エネルギー1)

インジウムリンなどの光半導体をレーザーで高速転写する際の材料と、一度に多量のチップを基板上に移送して正確に配置する技術を開発して高速実装を実現した。... インジウムリンなどの光半導体をレーザーで高速...

三菱電が「光エンジン」 米社とチップセット開発 (2024/10/16 電機・電子部品・情報・通信)

また、光電変換効率に優れ、高速変調可能なリン化インジウム(InP)を変調器として一体集積。

電子は有機分子のフラーレンやBCPを経由してアルミニウム電極、正孔は酸化インジウムスズ(ITO)電極で回収して電位差を得る。

酸化インジウムを活性層に用いて保護膜で酸素などから守る。... 酸化インジウムを用いると電子移動度は同140平方センチメートルと高速になるが、空気中の酸素や水分で劣化する課題があった。 ...

DOWAエレクトロニクスは、7月のインジウム4N(ITOグレード)の建値を改定した。

さらに伸縮部位にはガリウム・インジウムスズ合金の液体金属で配線した。

波長が短く光の吸収率が大きいUVの発光ダイオード(LED)を用いることで、インジウムなどの金属を原材料にしたプロセスガスの濃度を0・01秒以下で計測する。

DOWAエレクトロニクスは3日、6月のインジウム4N(ITOグレード)の建値を改定した。

窒化アルミニウムは600度C、窒化インジウムは200度Cで製造できる。

現在、その多くはインジウム(In)などの希少金属を含んだ金属酸化物半導体(主に酸化インジウムスズ、通称ITO)である。

同センターの冨岡克広准教授は、シリコン基板上にインジウムガリウムヒ素などの化合物半導体のナノワイヤを積んだ「縦型トランジスタ」を世界に先駆けて開発した。

メモリーは3次元DRAM、デバイスはインジウム、ガリウム、亜鉛、酸素で構成された酸化物半導体(IGZO)関連の発表が多く、「技術、回路ともにAI向け半導体の論文が全体をけん引した」&#...

「光通信用途のインジウムリンや、航空宇宙、医療向けのカドミウムジンクテルルは競争がかなり激しくなっている。... 現在インジウムリンは磯原工場(茨城県北茨城市)で生産している。

透明電極は導電性高分子、不透明電極に液体金属の共晶ガリウム・インジウムを採用した。... 透明電極と機能層をブレードコート法で塗布した後に共晶ガリウム・インジウムをスプレーで塗布する。空気中で噴霧する...

スマホにはインジウムなどのレアメタルのほか金や銀といった貴金属も使われており、リユースは環境負荷の低減に寄与する。

DOWAエレクトロニクスは、4月のインジウム4N(ITOグレード)の建値を改定した。

DOWAエレクトロニクスは、3月のインジウム4N(ITOグレード)の建値を改定した。

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