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記事検索結果
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キャッシュメモリーにデータを書き込む先をランダム化する。... キャッシュメモリーへのデータの格納場所をスパイプログラムに分からないようにランダム化する。... キャッシュメモリーから情報を盗み取られ...
東京工業大学のファム・ナムハイ准教授とNHK放送技術研究所の宮本泰敬主任研究員らは、低電流密度で高速書き込みが可能な磁気抵抗メモリー(MRAM)の候補材料を開発した。... 高速書き込...
高速動作が必要なキャッシュメモリーへの利用が開ける。半導体の1ナノメートル世代以降のオングストローム世代(オングストームは100億分の1メートル)までスピン注入型磁気抵抗メモリー...
東芝と、東京大学の中村宏教授らの研究グループは1日、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)のプロジェクトとして、消費電力を従来メモリー比10分の1以下に抑えた新方式の磁性体メモ...
すべての記憶媒体にフラッシュメモリーのSSDを採用したオールフラッシュストレージ。高速処理のための制御ソフトや大容量のキャッシュメモリーを標準搭載し、同数のハードディスク駆動装置(HDD...
一つのチップに複数の機能を集積するシステム・オン・チップ技術を採用し、最大8個のプロセッサーコアに加え、最大24メガバイトの2次キャッシュメモリー、入出力(I/O)プロセッサ...
キャッシュメモリー容量は従来比最大4倍に拡張。... 上位機種ではデータの読み込みを高速化するコントローラ内蔵型大容量フラッシュキャッシュを新たにサポートした。
東芝はモバイル機器に使うフラッシュメモリーのコントローラーに適したインターフェース技術を開発した。... 従来、SRAM(記憶保持動作が不要な随時書き込み読み出しメモリー)をキャッシュ...
チップの大きさは588平方ミリメートル、動作周波数3ギガヘルツ(ギガは10億)、16コアで30億個のトランジスタと24メガバイトの2次キャッシュメモリーを搭載。
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、ロジック高密度集積回路(LSI)混載のキャッシュメモリー向けにスピン注入型高性能磁気抵抗メモリー「STT―MRAM」を開発し...
東芝は動作時の電力消費量を従来比10分の1程度に低減した不揮発性磁性体メモリー「STT―MRAM」を開発した。中央演算処理装置(CPU)内の高速メモリーであるキャッシュメモリーとして使...
バッファローメモリ(名古屋市中区、050・5830・8900)は、使用頻度の高いデータの出し入れを行うキャッシュメモリーにMRAM(磁気抵抗変化型メモリー)を採用したソ...
SSDは、半導体メモリーの一種のNAND型フラッシュメモリーと、メモリー制御コントローラーチップで構成される半導体ディスク装置。... だが、メーカーによる大容量技術の進展でフラッシュメモリーの価格が...
キャッシュメモリーの容量は16メガバイトで、映画などの視聴に配慮した低騒音特性やハロゲンフリーなど、環境にも配慮した。 ... キャッシュメモリーの容量は8メガバイトでディスク回転数は毎分54...
使用頻度の高いデータを蓄積するキャッシュメモリーの容量を最大で従来比32倍の512ギガバイトまで引き上げた。... 新製品「PAMII」は、キャッシュメモリーを搭載したカード形式で、既存のシステム構成...
新プロセッサーの搭載やメモリーアクセスの向上により、性能を従来機種より最大25%向上。... 中位機種「同M4000」と下位機種「同M5000」は同2・4メガヘルツを2・53メガヘルツに高める...
V2の最大の目玉はサンが提供する「フラッシュ・ファイヤー」と呼ぶフラッシュメモリーによるキャッシュ技術で、基板1枚当たり5テラバイトのフラッシュメモリーを実装する。キャッシュメモリーをシリコンディスク...
東京大学大学院の竹内健電気系工学専攻准教授と産業技術総合研究所の酒井滋樹フロンティアデバイスグループ長は、不揮発性ページバッファー(写真)を備えた強誘電体NANDフラッシュメモリーを共...
