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23年10月末には原因を点火プラグ内でのショート(短絡)と信号の増幅を行うトランジスタへの定格以上の電圧印加、推進系制御装置の部品故障の三つに絞った。
今後、トランジスタの開発も進め、同材料を用いて低損失なパワー半導体の実用化を目指す。... トランジスタの開発も進める考えだ。
ダイヤモンド半導体はp型と呼ばれるホール(正孔)が流れるトランジスタを作れる。... また、両型のトランジスタを使うことでより高速動作できる。 ... ノーマリーオフ...
同骨格「ジチエノナフトビスチアジアゾール(TNT)」を用いて合成したポリマーによる有機トランジスタは、アモルファスシリコンと同等以上の電荷移動度を示し、有機薄膜太陽電池は、世界最高水準...
三菱電機は電気自動車(EV)など、電動車(xEV)向けに炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップの...
ロームはIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の第4世代品として、パッケージ品「TO―247―4L=イメージ」など4機種とベアチップ11機種を開発し...
【京都】ロームはIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の第4世代品を開発、発売した。
東芝デバイス&ストレージの従来製品はGaN電界効果トランジスタ(FET)とシリコン(Si)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を...
産業向け安価で大量に ヘキシルセルロースが最適 透明でフレキシブルなトランジスタやコンピューターなどへの応用が見込まれる半導体型のカーボンナノチューブ(CNT)...
新製品は端子の共通化やトランジスタ素子の開発に取り組んだことでICチップを小さくし、パッケージに3個分の機能を収めた。
同社が目指す線幅2ナノメートルの次世代トランジスタ構造「ゲートオールアラウンド(GAA)」は世界中で開発競争が本格化している。
必然的に生産が増える前提で動かないといけない」 ―エッチングでは次世代トランジスタ構造「ゲートオールアラウンド(GAA)」向けの研究開発に取り組みます。 &#...
「(次世代トランジスタ構造の)ゲートオールアラウンド(GAA)の生産が一部で始まっている。... 28年ごろには相補型電界効果トランジスタ(CFET)の...
またロジックは3次元構造トランジスタの「ゲートオールアラウンド(GAA)」や「相補型電界効果トランジスタ(CFET)」に移行し、DRAMも3次元構造に向かうと予想される...
低耐圧MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)、中・高耐圧MOSFET、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)、SiC(炭化ケイ素)...
