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記事検索結果
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GeO2は超ワイドバンドギャップ半導体材料の一つ。炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)と比べて、バンドギャップが広い。バンドギャップが広いほど、低損失なパワー半...
京都大学の田辺克明教授らは、電子・光デバイスの性質を決定づける物性値である半導体のバンドギャップを高速かつ高精度に予測できる手法を開発した。... 実測値に対して平均絶対誤差0・3...
約1000種の酸化物計算データを700の特徴量で決定木を作り、バンドギャップなどを予測した。するとバンドギャップと電子系誘電率を両立する物質群が得られた。
窒化アルミはバンドギャップが非常に大きい「超ワイドバンドギャップ半導体」の有力な候補材料。
物質の形成エネルギーやバンドギャップなどの物性を予測させると、予測精度は最先端モデルよりも優れるか同等だった。
【南大阪】クオルテックは2027年をめどに、超ワイドバンドギャップ半導体材料「二酸化ゲルマニウム(GeO2)」を使ったウエハーの量産を始める。
バンドギャップの4分の1に比例 千葉大学の吉田弘幸教授らは、理化学研究所、広島大学と共同で、有機半導体の励起子の束縛エネルギーを精密に測定し、同エネルギーがバンドギャップの4分の1に...
「ワイドバンドギャップ半導体向けの製品開発を推進する」と意気込むのは、タムラ製作所社長の浅田昌弘さん。 ワイドバンドギャップ半導体は高温や高電圧の環境にも対応でき...
単結晶に近く、硬いAlMを成膜することで、圧電特性が高まるとともに、バンドギャップ(禁制帯のエネルギー幅)が広がるほか、耐熱性と熱伝導性が向上する。
京都大学の石井良太助教らの研究グループは、超ワイドバンドギャップ半導体の有力な候補材料の一つである窒化アルミニウムについて、p型電気伝導制御の可能性を確認した。次世代パワー半導体や深紫外の発光材料とし...
発電効率に影響するバンドギャップが1・66電子ボルトと最適値の1・5電子ボルトに近い。... 実際に合成するとバンドギャップは1・66電子ボルト。計算予測値はバンドギャップが1・62電子ボルトのため向...
絶縁体であるダイヤモンドは、他の半導体材料と比べてバンドギャップや熱伝導率が大きく、耐電圧も高いなど優れた物性を持つ。
バンドギャップ誤差抑制、材料探索を効率化 早稲田大学の谷口卓也准教授らは、有機材料の結晶構造を人工知能(AI)に学習させると物性予測の精度が向上することを証明した。....
パワーデバイスにバンドギャップ(電子が存在できない領域の幅)の大きい酸化イリジウムガリウムが使用可能になり、より高耐圧用途に展開することが期待される。 ... フロス...
(名古屋・川口拓洋) パワー半導体は電力の制御などを担い、その中でGaNはシリコンや炭化ケイ素(SiC)を利用した半導体...
炭化ケイ素(SiC)は絶縁破壊電界強度がシリコン(Si)の10倍、バンドギャップが同3倍などの特性を持ち、Siの限界を超えるパワーデバイス用材料として期待される。
【応用展開目指す】 また、半導体チャネルに用いる二硫化レニウムは、他の遷移金属ダイカルコゲナイドとは異なり、複数層でも光吸収効率が良い直接遷移バンドギャップを持つ。
